[发明专利]等离子体反应器及清除等离子体反应腔室颗粒污染的方法有效
| 申请号: | 201410199553.4 | 申请日: | 2014-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN105097423B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
| 发明(设计)人: | 严琰;童浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 反应器 清除 反应 颗粒 污染 方法 | ||
1.一种等离子体反应器,包括喷头电极,其特征在于,围绕所述喷头电极设置有吸附负电颗粒的装置;所述吸附负电颗粒的装置为能够加载正偏压的多孔金属-陶瓷环;所述多孔金属-陶瓷环通过以下工艺制备得到:
将氧化铝粉末和氧化镍粉末以重量比为4:6~5:5的比例与有机溶剂、造孔剂、分散剂、粘合剂、增塑剂混合,得到的混合物粘度为2.5~6PA·S;
将所述混合物放入模具中制得模型;以及
将所述模型在1400℃~1550℃烧结得到所述多孔金属-陶瓷环。
2.根据权利要求1所述的等离子体反应器,其特征在于,所述多孔金属-陶瓷环的内径大于所述喷头电极外径8~12mm。
3.根据权利要求1所述的等离子体反应器,其特征在于,所述多孔金属-陶瓷环朝向所述喷头电极的喷射面的表面低于所述喷头电极的喷射面5~10mm。
4.根据权利要求1所述的等离子体反应器,其特征在于,所述有机溶剂为乙醇和丁酮,所述造孔剂为淀粉、所述分散剂为三乙醇胺、所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛、所述增塑剂为聚乙二醇。
5.根据权利要求4所述的等离子体反应器,其特征在于,所述乙醇和丁酮的体积比为1.9~2.1:1,所述造孔剂占所述混合物的质量百分含量为30%~50%,所述分散剂占所述混合物的体积百分含量为30%~50%,所述粘合剂占所述混合物的质量百分含量为8%~11%,所述增塑剂占所述混合物的质量百分含量为6%~10%。
6.一种清除等离子体反应腔室颗粒污染的方法,其特征在于,包括以下步骤:通过围绕所述等离子体反应腔室内的喷头电极设置的吸附负电颗粒的装置来吸附负电颗粒:所述吸附负电颗粒的装置为加载有正偏压的多孔金属-陶瓷环,所述方法包括以下步骤:
S1,围绕所述喷头电极设置所述多孔金属-陶瓷环,以及
S2,对所述多孔金属-陶瓷环施加正偏压;
所述多孔金属-陶瓷环通过以下工艺制备得到:
将氧化铝粉末和氧化镍粉末以重量比为4:6~5:5的比例与有机溶剂、造孔剂、分散剂、粘合剂、增塑剂混合,得到的混合物粘度为2.5~6PA·S;
将所述混合物放入模具中制得模型;以及
将所述模型在1400℃~1550℃烧结得到所述多孔金属-陶瓷环。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,根据所述等离子体反应腔室的射频设置所述正偏压。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述多孔金属-陶瓷环的内径大于所述喷头电极外径8~12mm。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述多孔金属-陶瓷环朝向所述喷头电极的喷射面的表面低于所述喷头电极的喷射面5~10mm。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述有机溶剂为乙醇和丁酮,所述造孔剂为淀粉、所述分散剂为三乙醇胺、所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛、所述增塑剂为聚乙二醇。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述乙醇和丁酮的体积比为1.9~2.1:1,所述造孔剂占所述混合物的质量百分含量为30%~50%,所述分散剂占所述混合物的体积百分含量为30%~50%,所述粘合剂占所述混合物的质量百分含量为8%~11%,所述增塑剂占所述混合物的质量百分含量为6%~10%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





