[发明专利]半导体设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体设备。

背景技术

减压外延工艺是指外延工艺压力在20Torr～100Torr之间的工艺。通常，在进行外延反应的腔体内，采用SiH₂Cl₂作为硅源，采用AsH₃或B₂H₆作为掺杂源，压力的实现靠干泵和辅助泵的抽力实现。未反应完全的反应物及反应副产物通过干泵到尾气管道进行尾气处理。

目前，运行外延工艺的设备一般为应用材料公司的Centura平台，但是在该平台中，从腔体出来的副产物很容易粘附在腔体与干泵之间的管道上，随着副产物的增多，到一定时间，这些副产物会掉入干泵中，并附着在干泵上，导致干泵的负载过大而使干泵卡死。

因此，在现有技术中，干泵的使用寿命一般在15天～30天左右，导致更换干泵的频率非常之高。然而，工艺的中断也使正常的生产片子(wafer)报废，维修干泵的费用也是居高不下，设备利用率降低，维护费用高。

发明内容

现有技术的半导体设备存在干泵使用寿命短的问题，本发明提供的半导体设备能够提高干泵的使用寿命。

本发明提供一种半导体设备，包括：

腔体；

第一管道，设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔；

第二管道，所述第二管道的一端连接所述开孔；以及

干泵，连接所述第二管道的另一端。

可选的，所述半导体设备还包括一收集部，所述收集部可拆卸的安装在所述第一管道的另一端。

可选的，所述收集部为两端开口的管道状，所述收集部的一端通过一第一密封圈和一第一卡套与所述第一管道的另一端密封连接，所述收集部的另一端通过一第二密封圈和一可拆卸闷盖进行密封。

可选的，所述第二管道包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分之间可拆卸密封连接，所述第一部分连接所述开孔，所述第二部分连接所述干泵。

可选的，所述第一部分的长度小于等于30cm。

可选的，所述第一部分通过一第三密封圈和一第二卡套与第二部分之间可拆卸密封连接。

可选的，所述开孔与所述第一管道的一端的距离大于所述开孔与所述第一管道的另一端的距离。

可选的，所述开孔与所述第一管道的另一端的距离为50cm～80cm。

可选的，所述第一管道为直管型，并垂直于所述腔体设置。

可选的，所述第二管道相对于所述第一管道呈倾斜设置，所述第二管道向靠近所述第一管道的另一端的方向倾斜。

可选的，所述第一管道的长度为300cm～800cm。

可选的，所述第二管道的长度为50cm～200cm。

可选的，所述第二管道的管道直径小于等于所述第一管道的管道直径。

与现有技术相比，在本发明的半导体设备中，所述第一管道设置于所述腔体的下方，所述第一管道的一端连接所述腔体，所述第一管道的另一端密封，所述第一管道的侧壁具有一开孔，所述第二管道的一端连接所述开孔，所述干泵连接所述第二管道的另一端。当所述干泵进行抽气时，气体从所述腔体流出，经过所述第一管道，从所述开孔流入所述第二管道，并进入所述干泵，从所述腔体出来的副产物粘附在所述第一管道的侧壁上，当所述副产物从所述第一管道的侧壁上脱落时，直接掉落致所述第一管道的另一端，而不会进入所述开孔，从而避免所述副产物进入所述干泵。

附图说明

图1是本发明一实施例的半导体设备的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的半导体设备进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。