[发明专利]键合结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410199435.3 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097743B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种键合结构，其特征在于，包括：
键合层，所述键合层包括键合金属和晶粒细化材料，所述晶粒细化材料用于细化所述键合金属的晶粒；所述键合层由所述键合金属和所述晶粒细化材料分层设置而成，且所述键合结构包括多层所述键合层；
载体层，所述键合层设置在所述载体层上；
其中，所述载体层包括粘附层和介质层，所述粘附层设置在所述介质层上，且所述键合层设置在所述粘附层上；
所述键合结构包括2至10层所述键合层。
2.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述键合金属为金属铝。
3.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述晶粒细化材料为稀有金属。
4.根据权利要求3所述的键合结构，其特征在于，所述晶粒细化材料为金属钛。
5.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述粘附层上设置有沉积槽，且所述键合层设置在所述沉积槽内。
6.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述粘附层由等离子增强氧化物形成。
7.根据权利要求1所述的键合结构，其特征在于，所述介质层由氮化硅形成。
8.一种形成键合结构的方法，其特征在于，包括：
将键合金属和用于细化所述键合金属的晶粒的晶粒细化材料结合形成键合层；
沉积一层所述键合金属；
在所述键合金属上沉积一层所述晶粒细化材料；
重复交替地沉积所述键合金属和所述晶粒细化材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶粒细化材料的沉积厚度为0.1至10nm。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶粒细化材料的沉积温度为5至300摄氏度。
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