[发明专利]三维有序大孔SnO2薄膜的制备方法

权利要求书

1.三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法按照以下步骤进行：

一、将镍箔用体积浓度为10％～30％的盐酸溶液浸泡5～10s，然后用无水乙醇擦拭镍箔表面，然后将镍箔固定在玻璃基片上，得到镍片，用浓度为0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液或体积浓度为10％的聚苯乙烯无水乙醇溶液处理镍片，得到生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片；

二、使用直流电源，以锡片作为对比电极，以步骤一中生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片作为工作电极，在电解液中以6～10mA/cm²的沉积电流密度用恒电流进行电沉积10～90min，取出电沉积后的生长聚苯乙烯胶体晶体模板的镍片，经自然风干，即得到三维有序大孔SnO₂薄膜；

步骤二中所述电解液由SnCl₂、NaNO₃、HNO₃和HCl组成，电解液中SnCl₂的浓度为10～30mmol/L，NaNO₃的浓度为100mmol/L，HNO₃的浓度为75mmol/L，HCl的浓度为32mmol/L。

2.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中用浓度为0.2mol/L的聚苯乙烯水溶液处理镍片方法为：将聚苯乙烯水溶液倒入平底烧杯中，再放入镍片，使聚苯乙烯水溶液的高度位于镍片的2/3处，然后将平底烧杯置于50℃烘箱内烘干。

3.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中用体积浓度为10％的聚苯乙烯无水乙醇溶液处理镍片方法为：将镍片垂直浸泡于聚苯乙烯无水乙醇溶液中10～20s后提出，重复操作3～5次，然后将镍片置于80℃烘箱内烘干。

4.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中将镍箔用体积浓度为10％～30％的盐酸溶液浸泡5～10s。

5.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中在电解液中以7mA/cm²的沉积电流密度用恒电流进行电沉积40min。

6.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中在电解液中以9mA/cm²的沉积电流密度用恒电流进行电沉积30min。

7.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中在电解液中以8mA/cm²的沉积电流密度用恒电流进行电沉积80min。

8.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中电解液中SnCl₂的浓度为12mmol/L，NaNO₃的浓度为100mmol/L，HNO₃的浓度为75mmol/L，HCl的浓度为32mmol/L。

9.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中电解液中SnCl₂的浓度为20mmol/L，NaNO₃的浓度为100mmol/L，HNO₃的浓度为75mmol/L，HCl的浓度为32mmol/L。

10.根据权利要求1、2或3所述三维有序大孔SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中电解液中SnCl₂的浓度为25mmol/L，NaNO₃的浓度为100mmol/L，HNO₃的浓度为75mmol/L，HCl的浓度为32mmol/L。