[发明专利]液晶显示器及其制造方法在审
申请号: | 201410196772.7 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN104142590A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 李熙根;金筵泰;卢淳俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示器,所述液晶显示器包括:
绝缘基底;
像素电极,设置在绝缘基底上;
下取向层,设置在像素电极上,下取向层包括由无机绝缘材料形成的无机取向层;
液晶层,设置在微腔中,微腔设置在下取向层上;
上取向层,沿着微腔的侧面和上表面设置,上取向层包括由无机绝缘材料形成的无机取向层;以及
共电极,设置在上取向层上;
其中,上取向层和下取向层围封液晶层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,无机绝缘材料由SiOx、氮化硅、碳化硅、非晶硅和氟化类金刚石中的至少一种形成。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,无机取向层由SiOx形成。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,作为SiOx的组成比,x的值在2.3和2.4之间。
5.根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,上取向层或下取向层的厚度在和之间。
6.根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,上取向层或下取向层的介电常数在5和7之间。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,上取向层和下取向层在相邻的微腔之间叠置。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,上取向层和共电极沿着微腔弯曲。
9.根据权利要求1所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括顶层,所述顶层被形成为覆盖共电极的至少一部分并且包括柱形状。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括上绝缘层,所述上绝缘层形成为覆盖顶层的至少一部分。
11.根据权利要求9所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括设置在共电极与顶层之间的下绝缘层。
12.一种制造液晶显示器的方法,所述方法包括:
在绝缘基底上形成像素电极;
用无机绝缘材料形成下取向层,以覆盖像素电极;
在下取向层上形成具有侧面和上表面的牺牲层;
用无机绝缘材料在牺牲层的侧面和上表面上形成上取向层;
形成共电极,以覆盖上取向层;
形成包括柱的顶层,以覆盖共电极;
形成液晶注入孔,以暴露牺牲层;
去除通过液晶注入孔所暴露的牺牲层,以形成微腔;以及
在微腔中注入液晶分子,以形成液晶层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,无机绝缘材料由SiOx、氮化硅、碳化硅、非晶硅和氟化类金刚石中的至少一种形成。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,下取向层和上取向层由SiOx形成。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,作为SiOx的组成比,x的值在2.3和2.4之间。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,上取向层或下取向层的厚度在和之间。
17.根据权利要求14所述的方法,其中,上取向层或下取向层的介电常数在5和7之间。
18.根据权利要求12所述的方法,其中,在以下条件下沉积上取向层或下取向层:沉积温度为大约100℃,沉积压力为大约1.5托,N2O为大约7000sccm,SiH4为大约120sccm,沉积时间在27秒与75秒之间。
19.根据权利要求12所述的方法,其中,形成下取向层或形成上取向层的步骤包括:去除沉积在焊盘上的下取向层和上取向层。
20.根据权利要求12所述的方法,其中,形成下取向层或形成上取向层的步骤还包括:在用无机绝缘材料形成下取向层和上取向层之后执行清洗。
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