[发明专利]液晶显示器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410196772.7 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN104142590A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 李熙根;金筵泰;卢淳俊 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;G02F1/1333
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;谭昌驰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示器,所述液晶显示器包括:

绝缘基底;

像素电极,设置在绝缘基底上;

下取向层,设置在像素电极上,下取向层包括由无机绝缘材料形成的无机取向层;

液晶层,设置在微腔中,微腔设置在下取向层上;

上取向层,沿着微腔的侧面和上表面设置,上取向层包括由无机绝缘材料形成的无机取向层;以及

共电极,设置在上取向层上;

其中,上取向层和下取向层围封液晶层。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,无机绝缘材料由SiOx、氮化硅、碳化硅、非晶硅和氟化类金刚石中的至少一种形成。

3.根据权利要求2所述的液晶显示器,其中,无机取向层由SiOx形成。

4.根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,作为SiOx的组成比,x的值在2.3和2.4之间。

5.根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,上取向层或下取向层的厚度在和之间。

6.根据权利要求3所述的液晶显示器,其中,上取向层或下取向层的介电常数在5和7之间。

7.根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,上取向层和下取向层在相邻的微腔之间叠置。

8.根据权利要求1所述的液晶显示器,其中,上取向层和共电极沿着微腔弯曲。

9.根据权利要求1所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括顶层,所述顶层被形成为覆盖共电极的至少一部分并且包括柱形状。

10.根据权利要求9所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括上绝缘层,所述上绝缘层形成为覆盖顶层的至少一部分。

11.根据权利要求9所述的液晶显示器,所述液晶显示器还包括设置在共电极与顶层之间的下绝缘层。

12.一种制造液晶显示器的方法,所述方法包括:

在绝缘基底上形成像素电极;

用无机绝缘材料形成下取向层,以覆盖像素电极;

在下取向层上形成具有侧面和上表面的牺牲层;

用无机绝缘材料在牺牲层的侧面和上表面上形成上取向层;

形成共电极,以覆盖上取向层;

形成包括柱的顶层,以覆盖共电极;

形成液晶注入孔,以暴露牺牲层;

去除通过液晶注入孔所暴露的牺牲层,以形成微腔;以及

在微腔中注入液晶分子,以形成液晶层。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,无机绝缘材料由SiOx、氮化硅、碳化硅、非晶硅和氟化类金刚石中的至少一种形成。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,下取向层和上取向层由SiOx形成。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,作为SiOx的组成比,x的值在2.3和2.4之间。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,上取向层或下取向层的厚度在和之间。

17.根据权利要求14所述的方法,其中,上取向层或下取向层的介电常数在5和7之间。

18.根据权利要求12所述的方法,其中,在以下条件下沉积上取向层或下取向层:沉积温度为大约100℃,沉积压力为大约1.5托,N2O为大约7000sccm,SiH4为大约120sccm,沉积时间在27秒与75秒之间。

19.根据权利要求12所述的方法,其中,形成下取向层或形成上取向层的步骤包括:去除沉积在焊盘上的下取向层和上取向层。

20.根据权利要求12所述的方法,其中,形成下取向层或形成上取向层的步骤还包括:在用无机绝缘材料形成下取向层和上取向层之后执行清洗。

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