[发明专利]埋入式字线及其隔离结构的制造方法

权利要求书

1.一种埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于所述方法包括：

在一基板的表面上形成由一第一氮化层、氧化层与一第二氮化层所构成的多层结构；

图案化该多层结构，以形成暴露该基板的该表面的多个第一沟槽；

以该多层结构为蚀刻掩模，蚀刻去除暴露出的该基板，以形成多个埋入式字线沟槽；

在所述多个埋入式字线沟槽内分别形成埋入式字线，且该埋入式字线的顶部低于该基板的该表面；

在该埋入式字线上的所述多个第一沟槽内分别形成掩模结构层；

分别移除该多层结构内的该第二氮化层与该氧化层，以使所述掩模结构层凸出于该第一氮化层；

在所述掩模结构层的侧壁形成间隔件，以形成自行对准的第二沟槽；

以所述间隔件与所述掩模结构层为蚀刻掩模，蚀刻去除所述第二沟槽底下的基板，以形成隔离结构沟槽；以及

在所述隔离结构沟槽内形成隔离结构。

2.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：该第一氮化层与该第二氮化层包括氮化硅层或氮氧化硅层。

3.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：在形成该多层结构之前还包括：

在该基板的该表面形成一氧化硅层；以及

在该基板内形成有源区隔离结构，所述有源区隔离结构与所述隔离结构将该基板区分成多个有源区。

4.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：图案化该多层结构的步骤包括：

在该多层结构上形成掩模层；

图案化该掩模层，以暴露部分该多层结构；

去除暴露出的该多层结构，以形成所述多个第一沟槽；以及

去除该掩模层。

5.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：图案化该多层结构的步骤包括：

在该多层结构上形成多晶硅层；

图案化该多晶硅层，以形成多个多晶硅条状结构；

在所述多个多晶硅条状结构上共形地覆盖一牺牲层，以形成多个第三沟槽；

于所述多个第三沟槽内填入多晶硅材料；

去除露出的该牺牲层；

以所述多个多晶硅条状结构与所述多晶硅材料为蚀刻掩模，蚀刻去除暴露出的该多层结构；以及

去除所述多个多晶硅条状结构、所述多晶硅材料与剩余的该牺牲层。

6.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述埋入式字线的步骤包括：

在所述多个埋入式字线沟槽表面形成栅极氧化层；

在所述多个埋入式字线沟槽内沉积导体层；以及

回蚀刻所述导体层。

7.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：该埋入式字线的顶部比该基板的该表面低20nm～80nm。

8.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：各该掩模结构层与一侧的该掩模结构层之间具有第一间距、与另一侧的该掩模结构层之间具有第二间距，且该第一间距与该第二间距的比例在1:2至1:5之间。

9.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述间隔件的步骤包括：

在所述掩模结构层上共形地覆盖一第三氮化层；以及

回蚀刻该第三氮化层。

10.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：在形成所述隔离结构之后还包括去除该基板的该表面上的该第一氮化层。

11.根据权利要求1的埋入式字线及其隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述隔离结构的步骤包括：

对所述隔离结构沟槽的表面进行氧化；以及

在所述隔离结构沟槽内填入氮化硅。