[发明专利]一种半透半反型液晶面板及其制备方法、液晶显示装置

权利要求书

1.一种半透半反型液晶面板，包括多个阵列分布的像素单元，每一个所述像素单元内具有透射区和反射区，每一个所述像素单元包括第一偏光片、第一基板、液晶层、第二基板、第二偏光片，其特征在于，至少一部分像素单元中还包括：

位于所述第一基板与所述液晶层之间的第一电极，所述第一电极位于所述透射区的部分为条形结构，所述第一电极位于所述反射区的部分为面状结构；

设置于所述第一电极与所述第二基板之间的第二电极；

位于所述反射区内、且设置于所述第一基板与所述液晶层之间的线栅偏振元件，所述线栅偏振元件具有并行设置的多条线栅，且所述多条线栅的排列方向与所述第一偏光片的吸光轴垂直，且每一条所述线栅的延伸方向与所述第一偏光片的透光轴平行。

2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述线栅偏振元件设置于所述第一电极与所述第一基板之间；或者，

所述线栅偏振元件设置于所述第一电极与所述液晶层之间。

3.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，所述第二电极设置于所述第一电极与所述液晶层之间、与所述第一电极绝缘，所述第二电极具有条形结构。

4.根据权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，所述第二偏光片和所述第一偏光片的吸光轴相互垂直，且所述液晶层中液晶分子的初始取向与所述第一偏光片的透光轴方向平行。

5.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，所述第二电极设置于所述第二基板和所述液晶层之间。

6.根据权利要求1～5任一项所述的液晶面板，其特征在于，所述线栅偏振元件中，所述多条线栅周期性分布；沿所述多条线栅的排列方向，每一条线栅的宽度大小为任意相邻的两个线栅的中心线之间间距大小的40％～60％。

7.根据权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，沿所述多条线栅的排列方向，任意相邻的两个线栅的中心线之间间距的大小为50～200nm；沿所述第一基板指向第二基板的方向，所述线栅偏振元件的厚度为40～80nm。

8.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的半透半反型液晶面板。

9.一种半透半反型液晶面板的制备方法，所述液晶面板包括多个阵列分布的像素单元，每一个所述像素单元内具有透射区和反射区，其特征在于，所述制备方法包括：

在第一基板上形成第一电极图形、第二电极图形和线栅偏振单元图形；其中，所述第一电极位于透射区的部分为条形结构，位于所述反射区的部分为面状结构；所述线栅偏振单元位于反射区，且线栅偏振单元图形包括并行设置的多条线栅；

对盒连接第一基板和第二基板以形成液晶盒；

在第一基板背离第二基板的侧面贴设第一偏光片，且在第二基板背离第一基板的侧面贴设第二偏光片；其中，第一偏光片的吸光轴与所述多条线栅的排列方向垂直，且第一偏光片的透光轴与每一条线栅的延伸方向平行。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在第一基板上形成第一电极图形、第二电极图形和线栅偏振单元图形，具体包括：

在第一基板上生成线栅金属层，并通过构图工艺形成所述线栅偏振单元中多条线栅的图形；

在线栅偏振单元图形上生成透光层，并通过构图工艺得到位于多条线栅中任意相邻的两个线栅之间间隙内的透明部图形；

生成第一电极层，并通过构图工艺形成第一电极图形；

生成钝化层；

在钝化层上形成第二电极层并通过构图工艺形成第二电极图形。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在第一基板上形成第一电极图形、第二电极图形和线栅偏振单元图形，具体包括：

在第一基板上生成第一电极层，并通过构图工艺形成第一电极图形；

在第一电极层上形成线栅金属层，并通过构图工艺形成线栅金属层的多条线栅图形；

生成透明的钝化层；

在钝化层上形成第二电极层并通过构图工艺形成第二电极图形。