[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件在审

专利信息
申请号: 201410195868.1 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN104143531A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 野坂隆之 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:

在衬底之上形成具有凹部的绝缘层;

在所述绝缘层之上和所述凹部的内部形成导电膜;

抛光和去除定位在所述绝缘层之上的导电膜;

在遮光状态下清洗所述绝缘层;以及

在抛光步骤和清洗步骤之间,或者在清洗步骤之后,通过使用传感器检测在所述遮光状态下衬底的存在或不存在,来移动所述衬底。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,

其中所述传感器为红外传感器,以及

其中在所述移动步骤中,通过所述红外传感器检测从所述衬底发出的红外光,由此检测所述衬底的存在或不存在。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法,其中将所述红外传感器布置在所述衬底的背表面侧上。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法,还包括提供用于覆盖所述红外传感器的盖部件的步骤。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,

其中所述传感器为超声波传感器,以及

其中在所述移动步骤中,所述超声波传感器适于朝向所述衬底发出超声波,并且检测通过所述衬底反射的超声波,由此检测所述衬底的存在或不存在。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法,其中将用于发出所述超声波的源布置在所述衬底之上。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中所述导电膜为Cu膜。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,

其中所述凹部穿透所述绝缘层,以及

其中所述导电膜为W膜。

9.一种半导体制造设备,包括:

衬底支撑物,用于支撑衬底;

移动部分,用于移动由所述衬底支撑物支撑的衬底;

遮光部分,用于通过包裹所述衬底支撑物和所述移动部分来对所述衬底支撑物和所述移动部分遮光;以及

衬底检测器,布置在所述遮光部分中并且适于检测在遮光状态下由所述衬底支撑物支撑的衬底的存在或不存在。

10.根据权利要求9所述的半导体制造设备,还包括喷嘴,用于朝向由所述衬底支撑物支撑的衬底排放清洗液体。

11.根据权利要求9所述的半导体制造设备,其中所述衬底支撑物适于水平地支撑所述衬底。

12.根据权利要求9所述的半导体制造设备,其中所述衬底支撑物适于垂直地支撑所述衬底。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410195868.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top