[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件在审
申请号: | 201410195868.1 | 申请日: | 2014-05-09 |
公开(公告)号: | CN104143531A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 野坂隆之 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:
在衬底之上形成具有凹部的绝缘层;
在所述绝缘层之上和所述凹部的内部形成导电膜;
抛光和去除定位在所述绝缘层之上的导电膜;
在遮光状态下清洗所述绝缘层;以及
在抛光步骤和清洗步骤之间,或者在清洗步骤之后,通过使用传感器检测在所述遮光状态下衬底的存在或不存在,来移动所述衬底。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中所述传感器为红外传感器,以及
其中在所述移动步骤中,通过所述红外传感器检测从所述衬底发出的红外光,由此检测所述衬底的存在或不存在。
3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法,其中将所述红外传感器布置在所述衬底的背表面侧上。
4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法,还包括提供用于覆盖所述红外传感器的盖部件的步骤。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中所述传感器为超声波传感器,以及
其中在所述移动步骤中,所述超声波传感器适于朝向所述衬底发出超声波,并且检测通过所述衬底反射的超声波,由此检测所述衬底的存在或不存在。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法,其中将用于发出所述超声波的源布置在所述衬底之上。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中所述导电膜为Cu膜。
8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中所述凹部穿透所述绝缘层,以及
其中所述导电膜为W膜。
9.一种半导体制造设备,包括:
衬底支撑物,用于支撑衬底;
移动部分,用于移动由所述衬底支撑物支撑的衬底;
遮光部分,用于通过包裹所述衬底支撑物和所述移动部分来对所述衬底支撑物和所述移动部分遮光;以及
衬底检测器,布置在所述遮光部分中并且适于检测在遮光状态下由所述衬底支撑物支撑的衬底的存在或不存在。
10.根据权利要求9所述的半导体制造设备,还包括喷嘴,用于朝向由所述衬底支撑物支撑的衬底排放清洗液体。
11.根据权利要求9所述的半导体制造设备,其中所述衬底支撑物适于水平地支撑所述衬底。
12.根据权利要求9所述的半导体制造设备,其中所述衬底支撑物适于垂直地支撑所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造