[发明专利]具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备有效

专利信息
申请号: 201410195246.9 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN104143358B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 南尚完;朴起台 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/24
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 不同 伪字线 三维 闪存 器件 数据 储存 设备
【权利要求书】:

1.一种具有沿垂直于衬底的方向排列的多个单元串的三维(3D)快闪存储器件,该3D快闪存储器件包括:

第一单元串,其连接在位线和公共源极线之间,而且包括编程单元;

第二单元串,其连接在所述位线和所述公共源极线之间,而且包括连接到与所述编程单元相同的字线的编程禁止单元;

选择第一单元串的第一串选择线和选择第二单元串的第二串选择线;

第一伪字线,其布置在地选择线和最低主字线之间;

第二伪字线,其具有不同于第一伪字线的字线配置,而且布置在第一串选择线以及第二串选择线和最高主字线之间;以及

电压发生器,

其中,第一串选择线和第二串选择线、第一伪字线和第二伪字线、所述地选择线、所述最低主字线和所述最高主字线连接到第一单元串和第二单元串,

第一伪字线包括第一数目的字线,而且第二伪字线包括不同于第一数目的第二数目的字线,

电压发生器被构造为在擦除操作期间生成多个不同的擦除电压并将所述多个不同的擦除电压分别施加到所述第一数目的字线中的每一字线,

所述多个不同的擦除电压当中的第一擦除电压被施加到所述第一数目的字线中的与所述最低主字线相邻的一字线,

所述多个不同的擦除电压当中的第二擦除电压被施加到所述第一数目的字线中的与所述地选择线相邻的另一字线,

第一擦除电压的电平大于第二擦除电压的电平。

2.如权利要求1所述的3D快闪存储器件,其中,第二数目大于第一数目。

3.如权利要求1所述的3D快闪存储器件,其中,所述地选择线和第一伪字线之间的第一间隔长度不同于第一串选择线以及第二串选择线和第二伪字线之间的第二间隔长度。

4.如权利要求3所述的3D快闪存储器件,其中,第二间隔长度大于第一间隔长度。

5.如权利要求1所述的3D快闪存储器件,其中,电压发生器还被构造为在擦除操作期间生成第二多个不同的擦除电压并将所述第二多个不同的擦除电压分别施加到所述第二数目的字线中的每一字线。

6.如权利要求5所述的3D快闪存储器件,其中,所述第二多个不同的擦除电压当中的第三擦除电压被施加到所述第二数目的字线中的与第一串选择线和第二串选择线相邻的一字线,

所述第二多个不同的擦除电压当中的第四擦除电压被施加到所述第二数目的字线中的与所述最高主字线相邻的另一字线,以及

第三擦除电压的电平大于第四擦除电压的电平。

7.一种操作具有沿垂直于衬底的方向排列的多个单元串的三维(3D)快闪存储器件的方法,该方法包括:

在编程操作期间,使用包括第一数目的字线而且被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线,并且使用包括不同于第一数目的第二数目的字线而且被布置在串选择线和最高主字线之间的第二伪字线,以减少编程禁止单元的升压沟道与位线之间存在的第一电场(Es)和升压沟道与公共源极线之间存在的第二电场(Eg)之间的电场差(Es-Eg),

其中,第一伪字线和第二伪字线、所述地选择线、所述最低主字线、所述串选择线、所述最高主字线、所述位线和所述公共源极线连接到所述多个单元串,

在擦除操作期间,将多个不同的擦除电压分别施加到第一数目的字线中的每一字线,

其中,所述多个不同的擦除电压当中的第一擦除电压被施加到第一数目的字线中的与所述最低主字线相邻的一字线,

所述多个不同的擦除电压当中的第二擦除电压被施加到第一数目的字线中的与所述地选择线相邻的另一字线,以及

第一擦除电压的电平大于第二擦除电压的电平。

8.如权利要求7所述的方法,其中,在编程操作期间,所述编程禁止单元公共地连接到与正在被编程的编程单元相同的字线和相同的位线。

9.如权利要求7所述的方法,还包括:

在擦除操作期间,将第二多个不同的擦除电压分别施加到所述第二数目的字线中的每一字线。

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