[发明专利]接触电阻的测试方法和测试结构

权利要求书

1.一种接触电阻的测量方法，用于测试热载流子注入实验中探针和焊垫之间的接触电阻，其特征在于，包括以下步骤：

在两个相邻焊垫之间设置电阻R；

对所述两个相邻焊垫施加第一电压V并测量出对应的第一电流I；

根据所述第一电压V和所述第一电流I计算出所述两个相邻焊垫之间的总电阻；

对与所述两个相邻焊垫相邻的焊垫施加第二电流I'并测量出所述电阻R对应的第二电压V'；

根据所述第二电压V'和所述第二电流I'计算出所述电阻R的大小；

根据所述总电阻以及所述电阻R的大小计算出接触电阻的大小。

2.根据权利要求1所述的接触电阻的测量方法，所述两个相邻焊垫包括第一焊垫和第二焊垫，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I＝R₁+R₂+R计算出所述总电阻，其中，R₁为第一焊垫与其对应探针之间的接触电阻，R₂为第二焊垫与其对应探针之间的接触电阻。

3.根据权利要求2所述的接触电阻的测量方法，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V'/I'＝R计算出所述电阻R的大小。

4.根据权利要求3所述的接触电阻的测量方法，其特征在于，所述接触电阻的测量方法还包括以下步骤：根据公式V/I-V'/I'＝R₁+R₂计算出所述接触电阻。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括电阻本体和用于连接所述电阻本体以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在所述两个相邻焊垫之间增加所述电阻本体和所述金属层。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括多晶硅和用于连接所述多晶硅以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在所述两个相邻焊垫之间增加所述多晶硅和所述金属层。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的接触电阻的测量方法，所述电阻R包括有源区和用于连接所述有源区以及所述两个相邻焊垫的金属层，其特征在于，所述接触电阻的测试方法还包括以下步骤：在两个相邻所述焊垫之间增加所述有源区和所述金属层。

8.一种测试结构，其特征在于，应用权利要求1至7中任一项所述的接触电阻的测试方法测量所述热载流子注入实验中所述焊垫和所述探针之间的接触电阻。

9.根据权利要求8所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括连接于所述两个相邻焊垫上的电压表和串接于所述两个相邻焊垫之间的电阻R。

10.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括用于测量所述总电阻大小的第一状态和用于测量所述电阻R的大小的第二状态。

11.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的电阻本体和用于连接所述电阻本体与所述两个相邻焊垫的金属层。

12.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的多晶硅和用于连接所述多晶硅与所述两个相邻焊垫的金属层。

13.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述电阻R包括设置于所述两个相邻焊垫之间的有源区和用于连接所述有源区与所述两个相邻焊垫的金属层。