[发明专利]固态摄像器件及其制造方法和电子设备无效
| 申请号: | 201410192719.X | 申请日: | 2010-03-03 | 
| 公开(公告)号: | CN104037184A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 | 
| 发明(设计)人: | 中山创 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 赵燕青 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 摄像 器件 及其 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固态摄像器件,包括:
设置在衬底的摄像面上的多个光电转换单元;和
多个内层透镜,与所述多个光电转换单元各个对应地设置在所述光电转换单元的上侧,并且形成为沿朝向所述光电转换单元的方向突出的形状,
其中,所述多个内层透镜各自形成为在所述摄像面的中心与周缘具有不同的透镜形状,随着所述内层透镜在所述摄像面上的设置位置越远离所述摄像面的中心,该内层透镜的中心相对于所述光电转换单元的中心更偏向所述摄像面的中心侧,
所述内层透镜由多个透镜材料层在沿着与摄像面垂直的方向的侧面上以形成阶梯的方式层叠而成,所述多个透镜材料层各自形成为使得所述多个透镜材料层中的最靠近所述光电转换单元的第一透镜材料层的下表面的面积小于所述多个透镜材料层中的最远离所述光电转换单元的第二透镜材料层的上表面的面积。
2.如权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述多个透镜材料层各自的与所述摄像面垂直的截面包括锥形部,所述锥形部在沿着所述摄像面的方向上限定出的宽度在朝向所述光电转换单元的方向上变窄。
3.如权利要求1或2所述的固态摄像器件,其中,所述多个透镜材料层各自形成为使得折射率在朝向所述光电转换单元的方向上发生改变。
4.如权利要求3所述的固态摄像器件,其中,所述多个透镜材料层各自形成为使得折射率在朝向所述光电转换单元的方向上变小。
5.如权利要求3所述的固态摄像器件,其中,所述多个透镜材料层各自形成为使得折射率在朝向所述光电转换单元的方向上变大。
6.如权利要求1至5中任一项所述的固态摄像器件,其中,还包括设置在所述光电转换单元上侧的滤色器,
其中,所述内层透镜设置成介于所述滤色器与所述光电转换单元之间。
7.如权利要求1至6中任一项所述的固态摄像器件,其中,还包括与所述多个光电转换单元各个对应地设置在所述多个光电转换单元上侧的光波导,
其中,所述内层透镜设置成介于所述光波导与所述光电转换单元之间。
8.如权利要求1至7中任一项所述的固态摄像器件,其中,还包括与所述多个内层透镜各个对应地设置在所述多个内层透镜上侧的片上透镜。
9.一种电子设备,包括:
设置在衬底的摄像面上的多个光电转换单元;和
多个内层透镜,与所述多个光电转换单元各个对应地设置在所述光电转换单元的上侧,并且形成为沿朝向所述光电转换单元的方向突出的形状,
其中,所述多个内层透镜各自形成为在所述摄像面的中心与周缘具有不同的透镜形状,随着所述内层透镜在所述摄像面上的设置位置越远离所述摄像面的中心,该内层透镜的中心相对于所述光电转换单元的中心更偏向所述摄像面的中心侧,
所述内层透镜由多个透镜材料层在沿着与摄像面垂直的方向的侧面上以形成阶梯的方式层叠而成,所述多个透镜材料层各自形成为使得所述多个透镜材料层中的最靠近所述光电转换单元的第一透镜材料层的下表面的面积小于所述多个透镜材料层中的最远离所述光电转换单元的第二透镜材料层的上表面的面积。
10.一种固态摄像器件的制造方法,包括以下步骤:
与设置在衬底的摄像面上的多个光电转换单元各个对应地、以沿朝向所述多个光电转换单元的方向突出的形状、在所述多个光电转换单元的上侧形成多个内层透镜,
其中,在形成多个内层透镜时,使所述多个内层透镜各自形成为在所述摄像面的中心与周缘具有不同的透镜形状,随着所述内层透镜在所述摄像面上的设置位置越远离所述摄像面的中心,该内层透镜的中心相对于所述光电转换单元的中心更偏向所述摄像面的中心侧,并且所述内层透镜形成为,多个透镜材料层在沿着与摄像面垂直的方向的侧面上以形成阶梯的方式层叠,所述多个透镜材料层各自形成为使得所述多个透镜材料层中的最靠近所述光电转换单元的第一透镜材料层的下表面的面积小于所述多个透镜材料层中的最远离所述光电转换单元的第二透镜材料层的上表面的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





