[发明专利]低功耗SRAM单元电路结构有效
| 申请号： | 201410192216.2 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103971733B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张建杰;张泳培 | 申请（专利权）人： | 苏州无离信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴中区吴中*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功耗 sram 单元 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗SRAM单元电路结构，其特征在于：包括由四个MOS管构成的锁存器（1），所述锁存器（1）两侧为门控管（2），锁存器（1）一端通过一写字线管（5）连接电源，另一端通过一反信号管（6）接地。
2.根据权利要求1所述的低功耗SRAM单元电路结构，其特征在于：还包括第一读取管（3）、第二读取管（4），所述第二读取管（4）接地，第二读取管（4）栅极连接于所述一侧的门控管（2）与锁存器（1）之间，所述第一读取管的栅极连接于读字线RWL上，第一读取管的漏极连接于读位线RBL上。
3.根据权利要求1所述的低功耗SRAM单元电路结构，其特征在于：所述写字线管（5）为PMOS管，所述反信号管（6）为NMOS管。
4.根据权利要求2所述的低功耗SRAM单元电路结构，其特征在于：所述第一读取管（3）、第二读取管（4）为NMOS管。
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