[发明专利]防止化学机械研磨过程中研磨颗粒嵌入晶圆表面的方法在审
| 申请号： | 201410191026.9 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105081891A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 化学 机械 研磨 过程 颗粒 嵌入 表面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止化学机械研磨过程中研磨颗粒嵌入晶圆表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：
使用第一下压力将晶圆表面50％-80％的膜层去除；
使用比第一下压力值小的第二下压力将晶圆表面余下的20％-50％的膜层去除；
在第二下压力值下清洗晶圆表面和研磨垫。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜层为铜膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一下压力值为1.0-6.5psi。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二下压力值为0.1-1.0psi。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在使用比第一下压力值小的第二下压力将晶圆表面余下的20％-50％的膜层去除时，研磨速率为研磨时间为10-30秒。
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