[发明专利]半导体装置、其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层；

第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，该第二布线层包括电极焊盘部，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；

第一导电材料，其设置在穿过所述第一半导体部的装置层而延伸到所述第一半导体部的所述第一布线层中的连接点的第一凹槽部中；

第二导电材料，其设置在穿过所述第一半导体部而延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层中的连接点的第二凹槽部中，从而所述第一布线层和所述第二布线层电连通；

绝缘膜，其各自布置在所述第一凹槽部和所述第二凹槽部的侧壁上；以及

延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层包括铜线且所述导电材料与所述铜线接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括位于所述第一半导体部的与所述第一布线层相反的一侧上的所述第一半导体部中的光电二极管。

4.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述光电二极管和所述导电材料之间的绝缘隔离物层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述绝缘隔离物层围绕所述导电材料。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过等离子体结合而固定到一起。

7.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述第一半导体部的区域上方的遮光膜，所述遮光膜不设置在所述光电二极管的上方。

8.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述光电二极管上方的防反射膜。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述防反射膜包括氧化钽膜或氧化铪膜。

10.如权利要求8所述的半导体装置，还包括所述第一半导体部和所述第二半导体部之间的应力降低膜。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二布线层包括与所述导电材料接触的铝线。

12.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

具有布线的安装基板；以及

接合线，其设置在所述开口中，并连接于所述电极焊盘部，

其中，所述安装基板的所述布线电连接于所述电极焊盘部。

13.一种制造半导体装置的方法，其包括以下步骤：

形成第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层；

形成第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，该第二布线层包括电极焊盘部；

将所述第一半导体部固定到所述第二半导体部，使所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；

在第一凹槽部中设置第一导电材料，所述第一凹槽部穿过所述第一半导体部的装置层而延伸到所述第一半导体部的所述第一布线层中的连接点；

在第二凹槽部中设置第二导电材料，所述第二凹槽部穿过所述第一半导体部而延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层中的连接点，从而所述第一布线层和所述第二布线层电连通；

在所述第一凹槽部和所述第二凹槽部的侧壁上各自形成绝缘膜；以及

形成延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一布线层包括铜线且所述导电材料与所述铜线接触。

15.如权利要求13所述的方法，还包括在所述第一半导体部的与所述第一布线层相反的一侧上的所述第一半导体部中形成光电二极管的步骤。

16.如权利要求15所述的方法，还包括在所述光电二极管和所述导电材料之间形成绝缘隔离物层的步骤。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述绝缘隔离物层围绕所述导电材料。

18.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过等离子体结合而固定到一起。