[发明专利]半导体装置的量测方法、蚀刻方法及形成方法有效
| 申请号： | 201410189159.2 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105097579B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 方法 蚀刻 形成 | ||
1.一种半导体装置的量测方法，其中，所述半导体装置是将有机抗反射层作为蚀刻阻挡层进行干法蚀刻所获得，其特征在于，所述方法包括：
在预设温度下、预设时间内热处理所述半导体装置；
量测机台对所述热处理后的半导体装置作光学式关键尺寸量测；其中，在所述热处理的过程中，半导体装置中的光阻本身含有的溶剂及水分被挥发，所述光阻表面形成不会发生电子吸附的外壳。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的量测方法，其特征在于，所述预设温度为110摄氏度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的量测方法，其特征在于，所述预设时间为40秒。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的量测方法，其特征在于，所述半导体装置为0.18um电可擦可编程只读存储器。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的量测方法，其特征在于，所述干法蚀刻包括采用蚀刻气体进行蚀刻。
6.一种半导体装置蚀刻方法，其特征在于，包括：
(1)提供半导体装置，所述半导体装置包括有机抗反射层；
(2)在所述半导体装置沉积形成高压栅氧化层；
(3)曝光、显影经步骤(2)后的半导体装置；
(4)将所述有机抗反射层作为蚀刻阻挡层，对经步骤(3)后的半导体装置作干法蚀刻步骤；
(5)通过如权利要求1至5中任一项的半导体装置的量测方法对经步骤(4)后的半导体装置量测；
(6)对量测合格的半导体装置进行湿法蚀刻步骤；
(7)在湿法蚀刻步骤后的半导体装置沉积形成低压栅氧化层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置蚀刻方法，其特征在于，所述步骤(6)之后还包括：
重复步骤(5)中半导体装置的量测方法对经过湿法蚀刻步骤的半导体装置量测；对量测合格的半导体装置进行步骤(7)。
8.一种半导体装置形成方法，其特征在于，包括如权利要求6或7所述的半导体装置蚀刻方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
