[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括中心区域和边缘区域，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；

回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁；

沉积覆盖层，以填充所述凹槽并覆盖所述浮栅结构；

湿法蚀刻去除部分所述覆盖层，以使所述浮栅结构之间的浅沟槽隔离结构具有相同的厚度并再次露出所述浮栅结构的部分侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物的步骤中，所述中心区域剩余的氧化物的厚度大于所述边缘区域剩余的氧化物的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，去除部分所述覆盖层的方法包括：

完全去除位于所述中心区域的所述覆盖层，以露出所述浅沟槽隔离结构中的所述氧化物；

去除部分位于所述边缘区域的所述覆盖层，以使剩余的所述覆盖层的高度与所述中心区域的所述氧化物的高度相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用地毯式干法蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层选用氧化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用高深宽比工艺或者流体化学气相沉积的方法沉积所述覆盖层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述覆盖层之后，还进一步包括对所述覆盖层进行平坦化的步骤，以获得高度一致的所述覆盖层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述浮栅结构和浅沟槽隔离结构的方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浮栅层和掩膜层；

图案化所述浮栅层、所述掩膜层和所述半导体衬底，以形成若干相互隔离的浮栅结构以及位于所述浮栅结构之间的浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充氧化物，以形成所述浅沟槽隔离结构；

去除所述掩膜层。

9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。

10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。