[发明专利]一种降低大功率LED热阻的封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种降低大功率LED热阻的封装结构，包括密封层（1）、负电极（2）、荧光片（3）、金丝（4）、LED芯片（5）、金属互连层（6）、正电极（7）、通孔（8）、基板（9）、底部正电极（10）、散热面（11）、底部负电极（12）；其特征在于：所述LED芯片（5）对准基板（9）的中心，通过回流技术将LED芯片（5）与正电极（7）连接在一起，互连材料使用金锡焊料，回流结束后，金锡焊料形成金属互连层（6），所述LED芯片（5）通过金丝（4）与负电极（2）连接，所述荧光片（3）通过密封层（1）与基板（9）结合在一起，所述底部正电极（10）、散热面（11）、底部负电极（12）布置在基板（9）的背面。

2.一种制造根据权利要求1所述的降低大功率LED热阻的封装结构的方法，其特征在于，工艺步骤如下：

1）通过高精度机械加工技术制造基板（9）；

2）在正电极（7）、负电极（2）、底部正电极（10）、底部负电极（12）的位置进行绝缘层制作；

3）在正电极（7）、负电极（2）、底部正电极（10）、散热面（11）、底部负电极（12）的位置依次镀镍、镀金，或者依次镀镍、镀银；

4）通过激光打孔技术或者机械精加工技术制作通孔（8），将正电极（7）、负电极（2）分别通过通孔（8）与底部正电极（10）、底部负电极（12）连通；

5）将金锡焊料涂覆在基板（9）的中心位置，并将LED芯片（5）放置在金锡焊料的上方进行回流工艺，固晶压力为2N~3N；

6）在LED芯片（5）上方灌封硅胶后，在模具预先制作好荧光片（3）与基板（9）接触的地方涂覆粘结材料，通过紫外光照射直接固化完成荧光片（3）与基板（9）之间的密封。

3.根据权利要求2所述的回流焊接工艺中可降低LED热阻的封装结构的制造方法，其特征在于，所述的基板（9）厚度为0.7mm，所述的基板（9）是硅基板或是陶瓷基板。

4.根据权利要求2或3所述的回流焊接工艺中可降低LED热阻的封装结构的制造方法，其特征在于，所述的基板（9）是陶瓷基板，则省略步骤2）的绝缘层的制作，直接覆铜制作正电极（7）、负电极（2），覆铜厚度在0.1mm~2mm之间。

5.根据权利要求2或3所述的回流焊接工艺中可降低LED热阻的封装结构的制造方法，其特征在于，所述的基板（9）为硅基板，所述步骤2）中的绝缘层是氧化硅。

6.根据权利要求2所述的回流焊接工艺中可降低LED热阻的封装结构的制造方法，其特征在于，所述步骤6）所述的粘结材料是一种紫外感光胶，通过350nm~420nm之间波段的紫外光照射能够迅速固化。