[发明专利]一种基片承载装置及基片处理设备有效
| 申请号: | 201410187037.X | 申请日: | 2014-05-04 | 
| 公开(公告)号: | CN105097621B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 | 
| 发明(设计)人: | 张慧;吴军 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 | 
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 | 
| 地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 承载 装置 处理 设备 | ||
1.一种基片承载装置,包括基座和用于盛放基片的承载槽,所述承载槽形成在所述基座上,其特征在于,所述基片承载装置还包括能够导热的传导层,所述传导层设置于所述承载槽底壁的上表面上,所述传导层能够在所述基片的工艺温度下软化,且在所述工艺温度下所述传导层的表面为固态。
2.根据权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述承载槽底面设置为平面或者凹球面。
3.根据权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述传导层包括石墨纸和密封设置在所述石墨纸内部的导热材料,该导热材料能够在所述基片的工艺温度下熔化。
4.根据权利要求3所述的基片承载装置,其特征在于,所述导热材料为金、银、铁和铝中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的基片承载装置,其特征在于,所述传导层由软陶瓷材料制成。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的基片承载装置,其特征在于,所述承载槽的深度设置为当所述基片设置在所述传导层上时,所述基片的上表面不凸出于所述基座的上表面。
7.一种基片处理设备,该基片处理设备包括反应腔室,其特征在于,所述反应腔室中设置有权利要求1至6中任意一项所述的基片承载装置,用以在工艺过程中承载基片。
8.根据权利要求7所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片处理设备为金属化合物气相沉积设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410187037.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆自动分批与传送的方法及装置
 - 下一篇:一种反应腔室及其清洗方法
 
- 同类专利
 
- 专利分类
 
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





