[发明专利]焊盘结构及其制作方法在审
申请号: | 201410186980.9 | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN105097741A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 张贺丰;郎梦 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盘结 及其 制作方法 | ||
1.一种焊盘结构,所述焊盘结构设置在金属互连结构的顶层金属层上,其特征在于,所述焊盘结构包括:
过孔,设置在所述顶层金属层上;
卡接部,设置在所述过孔内,具有相互交叉的第一卡接部和第二卡接部;
焊盘主体结构,与所述卡接部一体设置。
2.根据权利要求1所述的焊盘结构,其特征在于,所述过孔的形状为轴线垂直于所述顶层金属层的圆柱。
3.根据权利要求2所述的焊盘结构,其特征在于,所述第一卡接部和所述第二卡接部以所述过孔的中轴线为交叉中心呈十字交叉。
4.根据权利要求1所述的焊盘结构,其特征在于,所述第一卡接部和第二卡接部的厚度等于所述过孔的厚度。
5.根据权利要求2所述的焊盘结构,其特征在于,所述焊盘主体结构包括:
第一主体结构,设置在所述卡接部上,所述第一主体结构在平行于所述顶层金属层的平面内的截面面积为S1;
第二主体结构,设置在所述第一主体结构的远离所述卡接部的表面上,所述第二主体结构在平行于所述顶层金属层的平面内的截面面积为S2,且S2>S1。
6.根据权利要求5所述的焊盘结构,其特征在于,所述过孔在平行于所述顶层金属层的平面内的截面面积为S3,所述S3和S1的关系为S3=S1。
7.根据权利要求1所述的焊盘结构,其特征在于,形成所述过孔的材料为铜,形成所述卡接部和所述焊盘主体结构的材料为铝。
8.一种焊盘结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
步骤S1,在金属互连结构的顶层金属层上设置低介电常数材料层;
步骤S2,在所述低介电常数材料层中设置具有相互交叉的至少两个凹槽的过孔;以及
步骤S3,在所述过孔上设置金属材料,形成设置在凹槽中的卡接部和设置在所述过孔上的焊盘主体结构。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述过孔的形状为轴线垂直于所述顶层金属层的圆柱。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述凹槽为两个且以所述过孔的中轴线为交叉中心呈十字交叉。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
步骤S21,刻蚀所述低介电常数材料层,形成相互独立的多个通孔;
步骤S22,在所述通孔中设置所述过孔的导电部;
步骤S23,在具有所述导电部的低介电常数材料层上设置钝化层;
步骤S24,刻蚀所述钝化层形成一个开口,所述开口对应于所述多个通孔所在区域;以及
步骤S25,以所述导电部和所述钝化层为掩膜刻蚀所述低介电常数材料层,形成所述过孔的凹槽。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S3包括:
在刻蚀后的所述钝化层上、所述过孔上和所述凹槽中沉积金属材料,沉积于所述凹槽中的所述金属材料形成所述焊盘结构的卡接部;
对所述金属材料进行刻蚀,位于所述过孔以上的所述金属材料形成所述焊盘结构的焊盘主体结构。
13.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述钝化层中的所述焊盘主体结构在平行于所述顶层金属层的平面内的截面面积为S1;所述钝化层以上的所述焊盘主体结构在平行于所述顶层金属层的平面内的截面面积为S2,且S2>S1。
14.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述金属材料为铝,形成所述导电部的材料为铜。
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