[发明专利]一种缺陷扫描机台对准系统的改进方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种缺陷扫描机台对准系统的改进方法。

背景技术

在晶圆的生产过程中，需要在关键工艺制程站点之后安插缺陷扫描(Defect Inspection)站点。通过抽样扫描缺陷来判断线上缺陷状况，发现问题，并解决问题，进而提升产品的良率。

缺陷扫描机台是通过晶粒(die)对晶粒间的对比来检测缺陷，因此在进行缺陷扫描前需要对晶圆进行对准(alignment)。缺陷扫描机台的对准系统是通过采集预检测晶圆的预定位置(如图1中位置1,2,3,4,5,6)的图像，与建立工艺配方时的预设定对比图像进行比较，如果预检测晶圆图像与预设定对比图像吻合，则对准成功,如果不吻合，则失败。

在PM周期的末期，由于机台上采集图像镜头的使用寿命或者镜头在Z方向上的偏移两个因素的影响，采集到的图像与预设定对比图像相比有略微的散焦，如图2所示，从而导致对准失败率变高，扫描的晶圆片数变少。

目前常见的处理方法包括以下几种：

1、缩短PM周期，但是这样会增加额外的成本。

2、复检对准失败率，如果发现失败率有上升的趋势，通知相关人员进行解决，但是这样通常会导致缺陷处理周期延迟5～7天，影响产品的良率。

3、当出现对准失败的警示时，现场操作人员及时进行手动对准，而这样会增加操作人员额外的劳动量，且容易造成机台空转。

因此，为了解决上述技术问题，有必要对缺陷扫描机台对准系统进行改进。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在问题，本发明提出一种缺陷扫描机台对准系统的改进方法，包括：

建立用于储存参考图像的数据库，所述数据库包括每个所述参考图像的写入时间、ID、被用于预设定对比图像的次数及时间；

将采集的预检测晶圆图像与建立工艺配方时的预设定对比图像进行逐一比对，若不匹配，则与所述数据库中的参考图像进行比对；

在所述数据库中找到匹配的参考图像时，则对准成功，并记录所述数据库中该参考图像的ID；

若在所述数据库中未找到与所述预检测晶圆图像相匹配的图像，则将所述预检测晶圆图像写入所述数据库，并标记其ID，及写入时间，然后警示操作人员进行人工对准。

进一步，将所述预检测晶圆图像与所述预设定对比图像进行比对时，若匹配，则对准成功。

进一步，将所述预检测晶圆图像与所述数据库中的参考图像进行比对时，所述比对的顺序以被匹配次数最多的参考图像优先。

进一步，当所述被匹配次数相同时，所述比对的顺序以匹配时间最近的参考图像优先。

进一步，将所述预检测晶圆图像与所述数据库中的参考图像进行比对时，若连续3次以上与所述数据库中同一参考图像ID相匹配，则将该参考图像写入为该工艺配方的预设定对比图像。

进一步，若3个不同工艺配方的预设定对比图像被所述数据库中的参考图像替换，警示给相关人员。

进一步，所述警示给相关人员的警示信息包含工艺配方名称，替换时间和图像ID。

综上所述，根据本发明提出的缺陷扫描机台对准系统的改进方法，可降低对准失败率，有效监控机台对准系统的性能，进而提高生产效率和产品的良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为现有的预检测晶圆的预定位置的示意图；

图2为现有的预设定对比图像和散焦图像对比图；

图3为根据本发明实施例的改进方法依次实施的流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。