[发明专利]多量子阱结构、生长方法及具有该结构的LED芯片

权利要求书

1.一种多量子阱结构，包括多组依次叠置的结构单元各所述结构单元中包括势阱层和GaN层，所述GaN层形成于所述势阱层的表面上，其特征在于，所述势阱层包括至少一层渐变XGaN层；所述渐变XGaN层中X的掺杂浓度朝向所述GaN层方向渐变；所述X为In或Al。

2.根据权利要求1所述的多量子阱结构，其特征在于，所述势阱层还包括恒定XGaN层，所述恒定XGaN层设置于所述渐变XGaN层和所述GaN层之间，且所述恒定XGaN层中X的掺杂浓度恒定。

3.根据权利要求2所述的多量子阱结构，其特征在于，各所述渐变XGaN层中X的掺杂浓度沿朝向所述GaN层的方向，从1E+19匀速渐变至3E+19。

4.根据权利要求2～3中任一项所述的多量子阱结构，所述恒定XGaN层的X掺杂浓度为1E+20～3E+20。

5.根据权利要求4所述的多量子阱结构，其特征在于，所述势阱层的厚度为2.8～3.5nm。

6.根据权利要求4所述的多量子阱结构，其特征在于，所述结构单元的个数为10～15个。

7.一种LED芯片，所述LED芯片包括依次设置的N型局限层、多量子阱结构和P型局限层，其特征在于，所述多量子阱结构为权利要求1～6中任一项所述多量子阱结构。

8.一种权利要求1～6中任一项所述多量子阱结构的生长方法，包括依次叠置生长多组结构单元，生长每组所述结构单元的步骤包括：生长势阱层，以及在所述势阱层上生长GaN层，其特征在于，生长所述势阱层包括：至少生长一层渐变XGaN层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，生长每层所述渐变XGaN层的步骤包括：控制X源流量，使其从Y/10以流速为30.6～37.4sccm/s匀速增加至Y，以生长所述渐变XGaN层。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，生长所述势阱层还包括：在完成渐变XGaN层的生长步骤后，在最外层所述渐变XGaN层上生长恒定XGaN；优选生长恒定XGaN的步骤中控制X源流量恒定，且所述X源以流速为11.33～15.0sccm/s掺杂。