[发明专利]存储器及其编程电路

说明书

一种存储器及其编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，所述存储器的编程电路包括：可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电压输入端，所述N个可编程PMOS管的栅极对应接收N位数字信号，每位数字信号对应控制一个可编程PMOS管导通或截止，N为整数且N≥2；数字信号产生单元，适于产生所述N位数字信号。本发明提供的存储器及其编程电路，能够在编程电压的实际值大于设计值时保证电熔丝存储单元被有效地写入数据。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其编程电路。

背景技术

电熔丝(E-fuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的一种技术。电熔丝的初始电阻值很小，当有大电流经过电熔丝时，电熔丝被熔断，其电阻值倍增。被熔断的电熔丝将永久地保持断开状态，而未被熔断的电熔丝则依然为导通状态。因此，由电熔丝构成的储存单元以判断电熔丝是否被熔断来得知其内部储存的数据。

图1是现有的一种电熔丝存储单元的电路结构示意图。参考图1，所述电熔丝存储单元包括编程电压输入端N10、熔丝元件F10和选通晶体管M10。所述编程电压输入端N10连接所述熔丝元件F10的一端并适于输入编程电压Vp；所述熔丝元件F10的另一端连接所述选通晶体管M10的漏极；所述选通晶体管M10的栅极适于输入选通信号SEL1，所述选通晶体管M10的源极接地。对所述电熔丝存储单元进行操作时，所述选通信号SEL1控制所述选通晶体管M10导通。

在对所述电熔丝存储单元编程前，所述熔丝元件F10未被熔断，其电阻值很小。当对所述编程电压输入端N10施加所述编程电压Vp、对所述选通晶体管M10的栅极施加高电平的选通信号SEL1时，所述选通晶体管M10导通，有编程电流流过所述熔丝元件F10，所述熔丝元件F10被熔断，其电阻值增大，实现对所述存储单元的编程。若所述编程电流太小，无法将所述熔丝元件F10熔断；若所述编程电流太大，容易将所述熔丝元件F10损毁。因此，所述编程电流的电流值需要控制在一定范围之内，即所述编程电压Vp的电压值需要控制在一定范围之内，才能实现对所述电熔丝存储单元的有效编程。

在存储器的设计阶段，通常是通过对若干个电熔丝存储单元进行编程实验以获得所述编程电压Vp的设计值。然而，在实际应用中，由于成本限制等多方面因素，所述编程电压Vp的实际值通常会高于其设计值，导致部分电熔丝存储单元不能被有效地写入数据。

发明内容

本发明解决的是电熔丝存储单元的编程电压的实际值高于其设计值的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的编程电路，所述存储器包括电熔丝存储单元，所述存储器的编程电路包括：

可编程PMOS管组，包括N个可编程PMOS管，所述N个可编程PMOS管的源极相连并适于输入编程电压，所述N个可编程PMOS管的漏极耦接所述电熔丝存储单元的编程电压输入端，所述N个可编程PMOS管的栅极对应接收N位数字信号，每位数字信号对应控制一个可编程PMOS管导通或截止，N为整数且N≥2；

数字信号产生单元，适于产生所述N位数字信号。

可选的，所述数字信号产生单元包括：

基准存储单元，结构与所述电熔丝存储单元的结构相同；

基准PMOS管组，包括N个基准PMOS管，所述N个基准PMOS管的源极相连并适于输入所述编程电压，所述N个基准PMOS管的漏极耦接所述基准存储单元的编程电压输入端，所述N个基准PMOS管的栅极对应接收所述N位数字信号，所述基准PMOS管的尺寸与所述可编程PMOS管的尺寸相同；

电压比较器，适于比较参考电压和所述基准存储单元的编程电压输入端的电压，在所述基准存储单元的编程电压输入端的电压高于所述参考电压时产生第一比较信号，否则产生第二比较信号；