[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；

刻蚀去除所述栅极结构两侧部分厚度的衬底形成凹槽；

对所述凹槽表面进行氧化处理形成氧化膜，修复凹槽表面的晶格损伤；

去除所述氧化膜，暴露出凹槽表面；

采用外延工艺形成填充满所述凹槽的应力层。

2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的处理温度低于500度。

3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用含有臭氧的去离子水溶液对凹槽表面进行氧化处理，且所述氧化处理的处理温度为10度至100度。

4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述去离子水溶液中臭氧的浓度为10毫克每毫升至100毫克每毫升。

5.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用等离子体氧轰击凹槽表面进行氧化处理，且氧化处理的处理温度为150度至450度。

6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体氧轰击凹槽表面的工艺参数为：向反应腔室内通入O₂，且O₂流量为10sccm至300sccm，反应腔室压强为1毫托至50毫托，源功率为300瓦至2000瓦，偏置功率为100瓦至800瓦。

7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化膜的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化膜的厚度为10埃至100埃。

9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在栅极结构两侧的衬底内形成轻掺杂区。

10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在氧化处理之后，对所述凹槽表面进行预清洗处理，所述预清洗处理去除所述氧化膜。

11.如权利要求10所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺进行所述预清洗处理，湿法刻蚀的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

12.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在氧化处理之前，对所述凹槽表面进行预清洗处理。

13.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述氧化膜，湿法刻蚀的刻蚀液体为氢氟酸溶液。

14.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用选择性外延工艺形成所述应力层。

15.如权利要求14所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe、SiGeB、SiC或SiCP，其中，所述应力层的材料为SiGe或SiGeB时，应力层的材料中Ge原子百分比为10％至55％；所述应力层的材料为SiC或SiCP时，应力层的材料中C原子百分比为0.5％至10％。

16.如权利要求15所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGeB时，选择性外延工艺的工艺参数为：反应气体包括硅源气体、锗源气体、硼源气体、HCl和H₂，硅源气体为SiH₄、SiH₂Cl₂或Si₂H₆，锗源气体为GeH₄，硼源气体为B₂H₆，其中，硅源气体流量为5sccm至500sccm，锗源气体流量为5sccm至500sccm，硼源气体流量为5sccm至500sccm，HCl气体流量为1sccm至300sccm，H₂流量为1000sccm至50000sccm，反应腔室压强为0.05托至50托，腔室温度为400度至900度。