[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁上具有侧墙；

进行外延步骤，通入沉积气体，形成覆盖所述栅极结构、侧墙和半导体衬底表面的半导体外延材料层；

进行刻蚀步骤，通入刻蚀气体，去除侧墙和栅极结构表面上的半导体外延材料层，在栅极结构两侧的半导体衬底表面上形成第一半导体外延层，第一半导体外延层侧壁为倾斜侧壁，并且第一半导体外延层与相邻的侧墙不接触；

进行选择外延步骤，通入沉积气体和刻蚀气体，在所述栅极结构两侧的半导体衬底上形成第二半导体外延层，所述第二半导体外延层沿水平方向修复或补偿所述第一半导体外延层，使得形成的第二半导体外延层覆盖第一半导体外延层的倾斜侧壁，并与侧墙的表面相接触；

重复依次进行外延步骤、刻蚀步骤和选择外延步骤，直至在栅极结构两侧的半导体衬底上形成抬高源/漏区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体外延层和第二半导体外延层的材料相同。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体外延层和第二半导体外延层的材料为碳硅、锗硅或单晶硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体外延层和第二半导体外延层的材料为碳硅时，所述外延步骤采用的碳源气体为CH₄、C₂H₄、C₃H₈、C₂H₆或C₄H₈，碳源气体的流量为10～50sccm，硅源气体为SiH₄或SiH₂Cl₂，硅源气体的流量为100～500sccm，载气为H₂，载气的流量为2000～6000sccm，腔室的压力为5～100Torr，腔室的温度为500～700摄氏度，外延步骤的时间为1～20秒。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀步骤采用的刻蚀气体为HCl或Cl₂，刻蚀气体的流量为5000～25000sccm，腔室的压力为200～500Torr，腔室的温度为500～700摄氏度，刻蚀的时间为3～50秒。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择外延步骤采用的碳源气体为CH₄、C₂H₄、C₃H₈、C₂H₆或C₄H₈，碳源气体的流量为10～50sccm，硅源气体为SiH₄或SiH₂Cl₂，硅源气体的流量为50～300sccm，刻蚀气体为HCl或Cl₂，刻蚀气体的流量为50～200sccm，载气为H₂，载气的流量为10000～40000sccm腔室的压力为5～100Torr，腔室的温度为500～700摄氏度，选择外延步骤的时间为10～200秒。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碳硅中掺杂有N型杂质离子，所述N型杂质离子为磷离子、砷离子、锑离子中的一种或几种。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延步骤和选择外延步骤中采用的气体还包括杂质源气体，所述杂质源气体为PH₃、AsH₃或TeH₃中的一种或几种。