[发明专利]氮化物发光二极管组件

说明书

技术领域

本发明涉及氮化物半导体光电器件，尤其涉及一种具有改善p型接触层结构的氮化物半导体光电器件。 

背景技术

近年来，发光二极管（LED）组件着重于亮度提升，期望能应用于照明领域，以发挥节能减碳的功效。一般来说，LED组件包括：具有在蓝宝石衬底上形成氮化物缓冲层，由Si掺杂GaN的n型接触层，由具有InGaN的多层量子井结构(MQW：Multi-Quantμm-Well)活性层，由Mg掺杂的AlGaN电子阻挡层，由Mg掺杂的p型氮化物接触层依次堆叠而成的结构，这种结构具有较高亮度的半导体组件特性。 

随着氮化物半导体组件应用扩大，除了具有高亮度外，降低组件操作电压与提高静电耐压的重要性也随之提高。 

发明内容

针对现有技术，为了提供较低的组件操作电压与提高静电耐压，本发明的氮化物半导体组件目的在于：提供一种高掺杂锥状接触层作为p型接触层，以降低电极与p型层之间的接触电阻，此高掺杂锥状接触层与电极形成良好的欧姆接触，以提高组件特性。 

为了达到上述目的，上述p型层包括第一p型层和第二p型层，其中第二p型层生长于第一p型层上。进一步地，第二p型层从下至上包括平坦接触层和锥状接触层，其锥状接触层为高掺杂锥状部，呈不连续成长。 

优选地，第二p型层掺杂浓度较第一p型层高。 

优选地，第一p型层掺杂浓度为1×10¹⁸/cm³~5×10¹⁹/cm³。 

优选地，第二p型层掺杂浓度大于5×10¹⁹/cm³，不超过5×10²¹/cm³。 

优选地，高掺杂锥状接触层的膜厚小于或等于200?，以使正向电压不上升。 

优选地，为了得到良好的p型导电性，高掺杂锥状接触层其掺杂元素最好为Mg。 

优选地，高掺杂锥状接触层的锥型直径(a)，即横向尺寸介于0.1μm与2μm之间。 

优选地，高掺杂锥状接触层的锥型高度(b)，即纵向尺寸介于0.1nm与10nm之间。 

优选地，高掺杂锥状接触层的覆盖率为5%至100%，即其占所述第二p型层之平坦接触层的面积比例。 

优选地，锥状接触层的部分顶端为平台。 

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。 

图1为本发明实施例之氮化物发光二极管侧视图。 

图2为本发明实施例之Atomic force microscopy (AFM) 20×20μm之2D分析图。 

图3为本发明实施例之Atomic force microscopy (AFM) 20×20μm之3D分析图。 

图中标示 

1.衬底；2.缓冲层；3.n型层；4.应力释放层；5.多量子阱有源区(活性层)；61.第一p型层；62.第二p型层；62a. 平坦接触层；62b. 锥状接触层；a. 锥型直径；b. 锥型高度。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式进行详细说明。 

实施例

请参看附图1，在衬底1上生长缓冲层2，然后在缓冲层2上生长n型层3，再在n型层3上生长应力释放层4，接着在应力释放层4上生长多量子阱有源区5，然后在多量子阱有源区5上生长第一p型层61，第二p型层62生长于第一p型层61上，其中第二p型层62从下至上包括平坦接触层62a和锥状接触层62b。 

具体来说，衬底1材质可选用氧化铝单晶（Sapphire）或SiC(6H-SiC或4H-SiC) 或Si或GaAs 或GaN等，晶格常数（lattice constant）接近于氮化物半导体的单晶氧化物也包含其中，优选使用Sapphire。