[发明专利]半导体激光设备组件

权利要求书

1.一种半导体激光设备组件，包括：

锁模半导体激光元件组件，包括：

锁模半导体激光元件，以及

色散补偿光学系统，从所述锁模半导体激光元件发射的激光入射到所述色散补偿光学系统上并且从所述色散补偿光学系统发射所述激光；以及

半导体光学放大器，具有包括III-V族氮化物基半导体层的分层结构体，所述半导体光学放大器被配置为接收入射到所述色散补偿光学系统上的所述激光的一部分并且放大从所述锁模半导体激光元件组件发射的所述激光。

2.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，

其中，建立τ₁>τ₂，

其中，τ₁是入射到所述半导体光学放大器上的所述激光的脉冲时间宽度并且τ₂是从所述半导体光学放大器输出的所述激光的脉冲时间宽度，以及

其中，τ₂的值随着所述半导体光学放大器的驱动电流值的增加而减小。

3.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，从所述半导体光学放大器输出的所述激光具有4.5THz以上的光谱宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，所述半导体光学放大器具有5×10³安/cm²以上的驱动电流密度。

5.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，所述半导体光学放大器具有3％以下的光学限制因子。

6.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，从所述半导体光学放大器输出的所述激光的光谱宽度相对于入射到所述半导体光学放大器上的所述激光的光谱宽度增加了2.5THz以上。

7.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，所述锁模半导体激光元件是具有1×10¹⁰瓦/cm²以上的峰值功率的光密度和1×10¹⁹/cm³以上的载流密度的电流注入锁模半导体激光元件。

8.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，所述色散补偿光学系统具有负的群速度色散值。

9.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，所述半导体激光设备组件利用导致发射至所述半导体光学放大器的所述激光的脉冲时间宽度为最小值的群速度色散值来操作或利用在所述群速度色散值附近的值来操作。

10.根据权利要求1所述的半导体激光设备组件，其中，当所述色散补偿光学系统中的群速度色散值从第一预定值GVD₁单调改变至第二预定值GVD₂时，如果|GVD₁|<|GVD₂|，则从所述锁模半导体激光元件组件发射并入射到所述半导体光学放大器上的所述激光的脉冲时间宽度减小，过最小值PW_min，然后增加。