[发明专利]基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410183020.7 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN104091887B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 刘力锋;王逸然;王国辉;贡献;刘晓彦;康晋锋 申请(专利权)人: 上海北京大学微电子研究院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 李迪
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 溶胶 凝胶 工艺 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层(10);所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜;所述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层。

2.根据权利要求1所述的基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述金属氧化物层(13)为BaTiO3层、ZnO层或SnO2层。

3.根据权利要求1所述的基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿膜层(12)为CH3NH3PbI3层、CH3NH3PbBr3层或CH3NH3PbCl3层。

4.根据权利要求1所述的基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层(11)为2,2',7,7'-四[N,N-二氨基]-9,9'-螺二芴层。

5.一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、清洗已长好导电薄膜的导电玻璃基片(14);

S2、采用溶胶凝胶工艺,制备金属氧化物层(13),并将其淀积在所述导电玻璃基片(14)上;

S3、采用溶胶凝胶工艺,在所述金属氧化物层(13)上生成钙钛矿膜层(10);

S4、采用溶胶凝胶工艺,旋涂溶于氯苯中的spiro-OMeTAD溶液在所述钙钛矿膜层(12)上,制备空穴传输层(11);

S5、采用溶胶凝胶工艺,在所述空穴传输层(11)生成背电极接触层(10)。

6.根据权利要5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1具体为:将已长好导电薄膜的导电玻璃基片(14)置于丙酮溶液中,水浴加热至50℃,超声5分钟;再将所述导电玻璃基片(14)置于无水乙醇中,水浴加热至50℃,超声5分钟。

7.根据权利要5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:

所述金属氧化层(13)为BaTiO3层时,选取醋酸钡Ba(CH3COO)2与钛酸正丁酯Ti(OC4H9)4作为前驱材料,冰醋酸CH3COOH作为溶剂,乙酰丙酮CH3COCH2COCH3作为稳定剂;首先,将醋酸钡Ba(CH3COO)2在常温下与冰醋酸CH3COOH混合,并进行加热搅拌,待溶质完全溶解,作为样品1;随后,将与所述醋酸钡同等摩尔比例的钛酸正丁酯Ti(OC4H9)4加入到乙酰丙酮CH3COCH2COCH3中,并持续加热搅拌,直至溶质完全溶解,作为样品2;随后,在保持样品2高速搅拌的前提下,将样品1缓缓加入所述样品2中,并保持一定的速率持续搅拌,最终得到呈现黄色透明澄清状的混合溶液;随后通过旋涂方式将得到所述混合溶液淀积在所述导电玻璃基片(14)上形成BaTiO3薄膜;最后将得到的产品在120℃的热板上烘烤5分钟,并进行退火工艺;所述BaTiO3薄膜厚度300nm-400nm;通过调节冰醋酸的量,控制前驱材料的摩尔浓度均为0.2mol/L;

所述金属氧化层(13)为ZnO层时,选取醋酸锌Zn(CH4COO)2·2H2O作为前驱材料,乙醇胺C2H7NO作为稳定剂,乙二醇甲醚CH3OCH2CH2OH作为溶剂;首先将醋酸在常温下与乙二醇甲醚CH3OCH2CH2OH混合,并进行搅拌,当溶质完全溶解后,加入乙醇胺作为稳定剂,持续搅拌,直至溶液完全澄清,所述前驱材料的摩尔浓度为0.2mol/L;随后保持1500rpm的转速,持续30秒,通过旋涂方式将所得的溶液淀积在所述导电玻璃基片(14)上形成ZnO薄膜;最后将得到的产品在150℃的热板上烘烤5分钟,并进行退火工艺;所述ZnO薄膜厚度为300nm-400nm;

所述金属氧化层(13)为SnO2层时:选取5水合氯化亚锡SnCl4·5H2O作为前驱材料,乙酰丙酮C5H8O2作为稳定剂,无水乙醇CH3CH2OH作为溶剂;首先将5水合氯化亚锡在常温下与无水乙醇混合,摩尔浓度为0.1mol/L,并进行持续搅拌;当溶质完全溶解后,加入少量乙酰丙酮作为稳定剂,持续搅拌,直至溶液完全澄清;随后保持1500rpm的转速,持续35秒,通过旋涂方式将得到的溶液淀积在所述导电玻璃基片(14)上形成SnO2薄膜;最后将得到的产品在200℃的热板上烘烤5分钟,并进行退火工艺;所述SnO2薄膜厚度为300nm-400nm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海北京大学微电子研究院,未经上海北京大学微电子研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410183020.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top