[发明专利]一种JFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种JFET器件，其元胞结构包括P型衬底(6)和设置在P型衬底(6)上端面的P型外延层(5)；所述P型外延层(5)上端面设置有介质层(9)；所述P型外延层(5)上层设置有n型体沟道区(4)，P型外延层5的两端分别设置有第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)；所述n型体沟道区(4)上层设置有相互独立的P+栅极区(1)、N+漏极区(2)、N+源极区(3)，其中P+栅极区(1)位于N+漏极区(2)和N+源极区(3)之间，所述P+栅极区(1)的上端面设置有栅极金属(11)，所述N+漏极区(2)的上端面设置有漏极金属(10)，所述N+源极区(3)的上端面设置有源极金属(12)；其特征在于，所述n型体沟道区(4)中设置有辅助层(13)，所述辅助层(13)位于P+栅极区(1)下方。 

2.一种JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 

第一步：选择片厚约400～700μm，电阻率0.001～0.005Ω·cm的NTD<111>单晶硅片； 

第二步：在硅片表面生长P型外延层(5)，生长条件为温度1100℃～1150℃，所述P型外延层(5)的厚度为5～25μm，电阻率为8～12Ω·cm； 

第三步：热生长氧化层，厚度为

第四步：一次光刻，光刻后在P型外延层(5)的两端进行第一P型隔离区(7)和第二P型隔离区(8)的注入，具体为采用去胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e15～8e15cm^-2、能量40～80KeV，再分布条件为：无氧条件，温度1100～1150℃、时间100min～120min； 

第五步：二次光刻，光刻后进行n型体沟道区(4)注入，具体为采用去胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e12～5e12cm^-2、能量40～80KeV，再分布条件为：无氧条件，温度1100～1150℃、时间230min～250min； 

第六步：场氧化层生长，厚度为

第七步：三次光刻，有源区刻蚀，为后续有源区内的源漏栅区注入刻蚀出有源区； 

第八步：四次光刻，光刻后进行辅助层(13)注入，在n型沟道区(4)内注入高能量的氧离子或者P型杂质形成辅助层(13)；具体采用带胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层。 

第九步：五次光刻，光刻后形成P+栅极区(1)，具体为采用带胶注入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e15～8e15cm^-2、能量20～40KeV；推阱再分布条件为：无氧条件，温度950～1000℃、时间25min～30min； 

第十步：六次光刻，光刻后进行N+漏极区(2)和N+源极区(3)注入；具体采用带胶注 入，在注入之前生长40～100nm厚的氧化层，离子注入条件为：剂量1e15～8e15cm^-2、能量60～80KeV，再分布条件为：无氧条件，温度1100～1150℃、时间230min～250min； 

第十一步：七次光刻，刻蚀出接触孔； 

第十二步：金属淀积，在P+栅极区(1)的上端面淀积栅极金属(11)，在N+漏极区(2)的上端面淀积漏极金属(10)，在N+源极区(3)的上端面淀积源极金属(12)，八次光刻、反刻铝； 

第十三步：合金，炉温550℃、时间10min～30min、钝化； 

第十四步：九次光刻刻蚀出压焊点； 

第十五步：低温退火，温度500℃～510℃，恒温30min； 

第十六步：硅片初测、切割、装架、烧结、封装测试。