[发明专利]一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃及制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种新型LOW-E玻璃，本发明还涉及一种LOW-E玻璃的制备方法。

【背景技术】

随着节能要求越来越高，单银LOW-E玻璃将被双银LOW-E玻璃所替代，为了有效的提高镀膜玻璃生产的效率和节约能源，可钢化镀膜玻璃将是未来镀膜玻璃市场的主要发展趋势，然而随着建筑外形的多样化发展要求，曲面玻璃在建筑幕墙上应用将越来越多，对可弯钢双银LOW-E的需求日益增大，现有的双银LOW-E玻璃在进行弯钢时，由于加热时间几乎是平钢的2倍，导致膜层大量被烧损坏。

【发明内容】

本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种膜层的高温抗氧化能力强，在弯曲钢化时膜层不易烧损的可异地弯钢双银LOW-E玻璃。本发明还提供一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中第一膜层即最内层为Si₃N₄层21，第二层为AZO层22，第三层为Ag层23，第四层为NiCrNy层24，第五层为ZnSn层25，第六层为AZO层26，第七层为Ag层27，第八层为NiCrOy层28，最外层为Si₃N₄层29。

如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si₃N₄层21的厚度为25～45nm，所述第二层AZO层22的厚度为5～15nm，所述第六层AZO层26的厚度为5～15nm。

如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层23的厚度为5～15nm，所述第七层Ag层27的厚度为5～15nm。

如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层24的厚度为1.5～3nm，所述第八层NiCrOy层28的厚度为1.5～3nm。

如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层ZnSn层25的厚度为70～100nm，所述最外层Si₃N₄层29的厚度为30～55nm。

一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％；

(2)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(4)磁控溅射NiCrNy层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体；

(5)磁控溅射ZnSn层，用交流电源溅射，用氧气做反应气体；

(6)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(7)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(8)磁控溅射NiCrOy层，用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气；

(9)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％。

如上所述的制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜层的Si₃N₄层21的厚度为25～45nm，所述第二层AZO层22的厚度为5～15nm，所述第六层AZO层26的厚度为5～15nm。

如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层23的厚度为5～15nm，所述第七层Ag层27的厚度为5～15nm。

如上所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层24的厚度为1.5～3nm，所述第八层NiCrOy层28的厚度为1.5～3nm，所述第五层ZnSn层25的厚度为70～100nm，所述最外层Si₃N₄层29的厚度为30～55nm。

与现有技术相比，本发明有如下优点：

1、本发明采用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气，使得NiCr与NiCrOy共存的状态，对氧原子有较好的吸收率。能提高膜层钢化时抗高温氧化性、耐磨性、透光率。保护双银LOW-E玻璃在进行弯曲钢化后膜层外观几乎无变化。