[发明专利]一种检测碲化物半导体探测器内建电场的方法

权利要求书

1.一种利用检测碲化物半导体探测器内建电场的装置检测碲化物半导体探测器内建电场的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、红外波段的卤钨灯发出红外光，依次通过980nm滤波片，平行光的选光透镜和起偏器后，照射到碲化物半导体探测器；

S2、用红外相机收集通过碲化物半导体探测器的光和经过检偏器的光，同过红外成像得到碲化物半导体探测器的清晰的图像；

S3、使起偏器和检偏器成平行，记录碲化物半导体探测器的图像；

S4、碲化物半导体探测器加电压、使起偏器和检偏器成45°和-45°起偏，记录碲化物半导体探测器的图像；

S5、通过二次电光效应公式得出碲化物半导体探测器内建电场；

其中，I₀(x，y)是通过平行偏振片的红外光表达式；

I(x，y)是通过垂直偏振片的红外光表达式；

E(x，y)是碲化物半导体探测器内建电场的实际电场强度表达式；

E₀是碲化物半导体探测器外加的实际的电场强度表达式；

(x，y)是碲化物半导体探测器内建电场内部的位置坐标；

其中所述的装置包括：卤钨灯(1)、980nm滤波片(9)、透镜(10)、碲化物半导体探测器(4)、三维平移台(5)、起偏器(8)、检偏器(6)、物镜(2)和相机(7)，所述碲化物半导体探测器(4)横放在所述三维平移台(5)上，所述碲化物半导体探测器(4)上设有直流电压表，所述三维控制平台(5)和相机(7)均通过数据线连接有电脑(3)，所述卤钨灯(1)上设有开关，所述相机(7)为红外相机。