[发明专利]一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法

权利要求书

1.一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分，N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极；P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极。

2.根据权利要求1所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，P型晶硅层、受光面或背光面的减反射层的厚度为1-5000nm。

3.根据权利要求1所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，P型晶硅层厚度为0.2um，受光面的减反射层厚度为80nm，背光面的减反射层厚度为120nm。

4.根据权利要求1所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，受光面或背光面的减反射层为SiO_x，Al₂O₃，SiN_x中的一种或几种的叠层结构。

5.如权利要求1所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

（1）在制绒后的N型硅衬底受光面沉积减反射层；

（2）背光面进行P型掺杂形成P型晶硅层；

（3）用掩膜版遮挡进行部分背面扩散层的蚀刻去除，使得P型晶硅层与N型硅衬底相互交替分布；

（4）在背光面进行减反射膜沉积；

（5）电极制备及烧结。

6.如权利要求1所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

（1）在制绒后的硅衬底背光面进行P型掺杂形成P型晶硅层；

（2）用掩膜版遮挡进行部分背面扩散层的蚀刻去除，使得P型晶硅层与N型硅衬底相互交替分布；

（3）在受光面和背光面分别进行减反射膜沉积；

（4）电极制备及烧结。

7.根据权利要求5或6所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，掩膜版遮挡部分背光扩散层的蚀刻去除方法为：                                                在需要蚀刻去除的P型晶硅层部分之外丝网印刷一层保护层，化学腐蚀去除未受保护部分，去除保护层，④去除受保护层保护部分的氧化硅层；P型掺杂的方法为高温扩散掺杂或离子注入。

8.如权利要求1所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

（1）在制绒后的硅衬底背光面进行局部P型掺杂形成P型晶硅层，使得P型晶硅层与N型硅衬底相互交替分布；

（2）在受光面和背光面分别进行减反射膜沉积；

（3）电极制备及烧结。

9.根据权利要求8所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，P型掺杂的方法为高温扩散掺杂或离子注入。

10.根据权利要求8所述一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，P型掺杂采用掩膜遮挡离子注入的方法。