[发明专利]碳化硅单晶的清洗方法无效
| 申请号： | 201410178793.6 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103949429A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张丹;赵淑贞;张飞虎;甘阳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 清洗 方法 | ||
1.碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于碳化硅单晶的清洗方法按照以下步骤进行：
一、采用表面活性剂刷洗SiC单晶3～5min，然后用去离子水冲洗SiC单晶；
二、将经过步骤一处理的SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。
2.根据权利要求1所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于步骤一中所述表面活性剂是阴离子表面活性剂。
3.根据权利要求1或2所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于步骤一中所述刷洗SiC单晶的时间为4min。
4.根据权利要求1或2所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于步骤二中在温度为80℃的混合溶液A中浸泡。
5.根据权利要求1或2所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于步骤二中混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为3：1。
6.根据权利要求1或2所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于步骤二中混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为3.1：1。
7.碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于碳化硅单晶的清洗方法按照以下步骤进行：
将SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。
8.根据权利要求7所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于将SiC单晶在温度为78℃的混合溶液A中浸泡。
9.根据权利要求7所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.9：1。
10.根据权利要求7所述碳化硅单晶的清洗方法，其特征在于所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为3.1：1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410178793.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
