[发明专利]高制作容差的平面波导型可调光衰减器

权利要求书

1.一种高制作容差的平面波导型可调光衰减器，包括第一耦合器（2），第一耦合器（2）的输入端与输入波导连接，第一耦合器（2）的两个输出端分别与上臂支路（3-1）和下臂支路（3-2）的前端连接，第二耦合器（4）的两个输入端分别与上臂支路（3-1）和下臂支路（3-2）的后端连接，第二耦合器（4）的输出端与输出波导连接，所述上臂支路（3-1）和 / 或下臂支路（3-2）上设有金属薄膜加热器（6），金属薄膜加热器（6）位于隔离沟槽（7）之间，其特征在于：所述第一耦合器（2）和第二耦合器（4）耦合比相同且均为不对称的耦合器，使可调光衰减器在制作工艺偏差高达 ±0.1um 的情况下仍能达到较高的调制深度；使衰减量大于30dB；所述不对称的耦合器的耦合比为m:n，其中，m≠n，且m，n均不为0；耦合比m:n为6:4。

2.根据权利要求 1 所述的高制作容差的平面波导型可调光衰减器，其特征在于：所述第一耦合器（2）和第二耦合器（4）为 Y 型耦合器或 X 型耦合器。