[发明专利]振幅检测控制电路和数控晶体振荡器系统

权利要求书

1.一种数控晶体振荡器的振幅检测控制电路，其特征在于，所述振幅检测控制电路包括：峰值检测电路、控制电路和补偿输出电路；

所述峰值检测电路包括：

正向峰值检测单元，用于对振荡器的正向峰值电压进行检测，得到第一检测电压；

反向峰值检测单元，用于对振荡器的反向峰值电压进行检测，得到第二检测电压；

补偿单元，与所述正向峰值检测单元相连接，用于对所述第一检测电压进行补偿，得到第三检测电压，所述补偿用以在第一检测电压中抵消反向峰值检测单元中引入的第二检测电压与反向峰值电压之间的电压差；

所述控制电路用于根据所述第三检测电压和所述第二检测电压生成控制电压，所述控制电路包括第二运算放大器；

所述补偿输出电路根据所述控制电压生成控制电流，用于补偿所述数控晶体振荡器的震荡幅度；其中，所述补偿输出电路包括可控电流源；所述控制电压用于控制所述可控电流源产生的控制电流的大小。

2.根据权利要求1所述的振幅检测控制电路，其特征在于，所述正向峰值检测单元具体包括：第一N型金属-氧化物-半导体NMOS晶体管M1、直流偏置电路和第一电容C1；

其中，所述直流偏置电路具体包括：第一电流源、偏置反馈电路、和电流镜；

所述第一电流源用于向所述电流镜提供恒定的第一电流I1；

所述偏置反馈电路用于向所述电流镜提供工作电压；

所述第一NMOS晶体管的栅极接入振荡放大器输出信号；

所述第一电容C1的两端分别连接所述第一NMOS晶体管M1的源极和地；

所述电流镜具体包括第二NMOS晶体管M6和第三NMOS晶体管M5，所述第二NMOS晶体管M6和第三NMOS晶体管M5共栅共源连接，所述第二NMOS晶体管M6为所述电流镜的输入端，与所述第一电流源串联连接，所述第一NMOS晶体管M1与所述第三NMOS晶体管M5串联连接，为所述电流镜的输出端；其中，所述偏置反馈电路为第二NMOS晶体管M6和第三NMOS晶体管M5共栅端提供导通电压，所述偏置反馈电路为第二NMOS晶体管M6和第三NMOS晶体管M5按第一比例匹配，以使流过第三NMOS晶体管M6和第一NMOS晶体管M5的第二电流与所述第一电流具有第一比例关系；

所述第一NMOS晶体管M1的源极为正向峰值检测单元的输出端，输出第一检测电压。

3.根据权利要求2所述的振幅检测控制电路，其特征在于，所述偏置反馈电路具体包括：第一运算放大器和第四NMOS晶体管M7；

所述第一运算放大器的正向输入端接入参考电路电压，反向输入端接入第四NMOS晶体管M7的源极的输出电压，输出端连接第四NMOS晶体管M7的栅极，通过所述第一运算放大器的增益控制所述第四NMOS晶体管持续导通，以使所述第一电流源的电流I1经所述第四NMOS晶体管M7后输入所述第二NMOS晶体管M6的漏极。

4.根据权利要求1所述的振幅检测控制电路，其特征在于，所述补偿单元具体包括：第一PMOS晶体管M2和第二电流源I_0a；所述反向峰值检测单元具体包括：第二PMOS晶体管M3、第三电流源I_0b和第二电容C2；

第二电流源I_0a串接在第一PMOS晶体管M2的源极，向第一PMOS晶体管M2提供恒定的导通电流I_0a；第三电流源I_0b串接在第二PMOS晶体管M3的源极，向第二PMOS晶体管M3提供恒定的导通电流I_0b；其中，控制第二电流源I_0a、第三电流源I_0b，使流过所述第一PMOS晶体管M2的电流与流过所述第二PMOS晶体管M3的电流相等，以使第一PMOS晶体管M2的导通压降V_GS2与第二PMOS晶体管M3的导通压降V_GS3相同；

第一PMOS晶体管M2的栅极接入所述正向峰值检测单元输出的第一检测电压，源极与控制电路的一个输入端相连接；第二PMOS晶体管M3的栅极接入振荡放大器输出信号，源极与控制电路的另一个输入端相连接；所述第一PMOS晶体管M2与第二PMOS晶体管M3共漏极接地。

5.根据权利要求1所述的振幅检测控制电路，其特征在于，所述第二运算放大器具体为限幅放大器。