[发明专利]有机发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201410175640.6 | 申请日: | 2006-12-30 |
公开(公告)号: | CN103956375A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 赵尹衡;李钟赫;金元钟;吴敏镐;李炳德;崔镇白 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
本申请是申请日为2006年12月30日、申请号为200610156676.5、题为“有机发光装置及其制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置,更具体地讲,本发明涉及包封有机发光装置。
背景技术
当水蒸气和/或氧气渗透到有机发光装置中时,有机发光装置劣化。因此,需要将有机发光装置包封,以获得稳定的操作和长时间的寿命。例如,通常,以类似盖的形状制备金属罐或具有沟槽的玻璃。接着,将用于吸收水蒸气的水蒸气吸收材料以粉末形式置于沟槽中。可选地,水蒸气吸收材料形成为膜,随后利用双面胶将该膜粘附到沟槽中。
日本专利特开平9-148066号公开了一种有机发光显示装置,其中,有机发射层位于彼此面对的一对电极之间,这种堆叠结构被包含干燥剂(例如,碱金属氧化物或碱土金属氧化物)的气密容器从外部环境包封。然而,由于气密容器的形状使得有机电致发光显示装置体积大。另外,即使当干燥剂吸收水蒸气并保持其固体状态时,干燥剂变得不透明。因此,有机电致发光显示装置不能用作前发射型发光装置。
第6,226,890号美国专利公开了一种有机电致发光装置,该有机电致发光装置包括利用水蒸气吸收材料和粘合剂形成的水蒸气吸收材料层,其中,水蒸气吸收材料包括平均粒度为0.1μm至200μm的固体颗粒。
发明内容
本发明的一方面提供了一种有机发光装置,所述有机发光装置可以包括:第一基底;第二基底,包括与所述第一基底相对的内表面;有机发光像素的阵列,位于所述第一基底和所述第二基底之间,所述阵列包括面向所述第二基底的顶部表面;膜结构,包括位于所述第二基底和所述阵列之间的基本透明的部分,其中,所述部分接触所述内表面和所述顶部表面,其中,所述部分包含干燥剂,其中,所述膜结构将所述第一基底和所述第二基底互连。
在上述装置中,所述第二基底可以包括单层玻璃。所述装置可以被构造为发射穿过所述第二基底的可见光。所述基本透明的部分可以具有对于可见光来说大约85%或更高的透射率。所述基本透明的部分可以具有对于可见光来说大约95%或更高的透射率。所述干燥剂可以为粒度为大约1,000nm或更小的形状。所述部分可以包含主体形成材料和分散在所述主体形成材料中的所述干燥剂颗粒。所述部分可以包含水蒸气透过率(WVTR)等于或小于大约20g/m2·天的主体形成材料。在温度为38℃、相对湿度为100%的环境下,利用厚度为100μm的密封剂的膜来测量WVTR。
所述主体形成材料可以包括从由丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、尿烷基树脂、纤维素基树脂、二氧化钛、氧化硅、氧化锆、氧化铝、环氧硅烷、乙烯基硅烷、胺基硅烷、甲基丙烯酸酯硅烷、芳基硅烷和甲基丙烯酰氧基硅烷组成的组中选择的至少一种聚合树脂。所述干燥剂可以包括从由Li2O、Na2O、K2O、BaO、CaO、MgO、Li2SO4、Na2SO4、CaSO4、MgSO4、CoSO4、Ga2(SO4)3、Ti(SO4)2、NiSO4、CaCl2、MgCl2、SrCl2、YCl3、CuCl2、CsF、TaF5、NbF5、LiBr、CaBr2、CeBr3、SeBr2、VBr2、MgBr2、BaI2、MgI2、Ba(ClO4)2、Mg(ClO4)2和P2O5组成的组中选择的至少一种。所述部分可以具有从大约10μm至大约40μm的厚度,其中,在限定所述第一基底和所述第二基底之间的最短距离的方向上测量所述厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的