[发明专利]一种平面电动机驱动的磁悬浮粗微动一体掩模台

说明书

技术领域

本发明涉及一种平面电动机驱动的磁悬浮粗微动一体掩模台，尤其涉及动铁式平面电动机驱动的磁悬浮粗微动一体掩模台，主要应用于半导体制造技术领域。

背景技术

过去的几十年中，半导体工业的发展一直受到摩尔定律的驱动。即当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这要求芯片的特征尺寸越来越小。从技术的角度看，随着硅片上线路密度的增加，其复杂性和差错率也将呈指数增长，要求新一代光刻机的精度越来越高。

缩小光源波长、减小工艺因子和增大光学元件的数值孔径可以提高光刻机的分别率。工艺因子和光学系统的数值孔径的变化范围很小，降低光源波长可以更大程度提高光刻机的分辨率，提高光刻机的精度。光刻机中光光源波长从365nm的紫外(UV)光发展到248nm和193nm的深紫外(DUV)光，每一阶段都提高了光刻机的分辨率。下一代的光刻机将使用13.5nm波长的极紫外(EUV)光作为光源。

投影物镜系统、对准系统和超精密工件台系统是光刻机的三大核心技术。其中，超精密工件台系统包括承载掩模板的掩模台系统和承载硅片的硅片台系统两部分。

EUV光子会被气体所吸收，必须在真空腔室中对硅片进行曝光。温度的变化会引起光源波长的变化，影响精度。最小化系统功耗以保证稳定的环境温度，所有用于真空的元件必须采用放气最少的材料。磁悬浮掩模台是解决功耗和真空需求的最佳方案。磁悬浮支承具有以下优点：温升小，极高速下无摩擦、磨损，极低速时无爬行，运动精度高，振动小，无污染。

掩模台系统由掩模台动台、平衡质量、动台的驱动电动机、掩模板、基座、隔振系统及测量系统等部分构成。光刻机曝光工艺要求，掩模台动台携带掩模板在驱动电动机的驱动下沿扫描方向大行程(＞132mm)往复做“加速—匀速—减速”运动，其他自由度微动(±2mm)。根据掩模台动台结构不同可以分为掩模台动台采用粗微动叠层结构的掩模台和掩模台动台采用粗微动一体结构的掩模台。对于粗微动叠层结构的掩模台，掩模台动台由大行程运动的粗动台和高精度微调的微动台两部分组成。对于粗微动一体结构的掩模台，大行程运动和高精度微调由单独的一个粗微动一体掩模台动台完成。

粗微动一体结构的掩模台动台，具有质量轻、少线缆扰动等特点，掩模台工作过程中功耗小，对于电动机推力要求较低，理论模型更加准确，一些学者对其展开了研究。现有技术中，采用直线电动机驱动磁悬浮粗微动一体掩模台动台的六自由度运动，每个直线电动机能够提供沿电动机动子运动方向的推力和垂直于电动机动子运动方向的推力。为控制粗微动一体掩模台动台的调平、调焦运动，至少需要三个直线电动机提供竖直方向推力；为控制粗微动一体掩模台动台六自由度运动，至少还需要另外两个直线电动机，其提供的推力与前述的直线电动机提供的推力方向不同。由于结构限制，这两种电动机结构一般不同，增加了粗微动一体掩模台动台驱动电动机的设计复杂度；两种不同结构的直线电动机并列排布在粗微动一体掩模台动台上，增加了粗微动一体掩模台动台的宽度，降低了粗微动一体掩模台动台的固有频率及控制带宽，进而影响控制精度。

发明内容

本发明的目的是提供一种平面电动机驱动的磁悬浮粗微动一体掩模台，旨在解决现有技术中因采用直线电机所带来的掩模台动台驱动电动机设计的复杂性，导致粗微动一体掩模台动台的宽度增加，降低了粗微动一体掩模台动台的固有频频率和控制带宽，进而影响了控制精度。

本发明的技术方案如下：

本发明提供一种平面电动机驱动的磁悬浮粗微动一体掩模台，包括粗微动一体掩模台动台、平衡质量、粗微动一体掩模台动台的驱动电动机、掩模板、基座、隔振系统及测量系统；隔振系统位于平衡质量与基座之间，掩模板安装在粗微动一体掩模台动台上，其特征在于：该粗微动一体掩模台动台的驱动电动机为动铁式平面电动机；动铁式平面电动机动子为安装在粗微动一体掩模台动台顶面的永磁体阵列，动铁式平面电动机定子为安装在平衡质量上的线圈阵列。

本发明所述的平面电动机驱动的磁悬浮粗微动一体掩模台，还包括提供补偿粗微动一体掩模台动台重力的磁悬浮结构，所述的磁悬浮结构动子安装在粗微动一体掩模台动台上，磁悬浮结构定子安装在平衡质量上。

本发明所述的磁悬浮粗微动一体掩模台，其驱动动铁式平面电动机动子永磁体阵列排布形式为二维Halbach阵列；动铁式平面电动机定子线圈阵列排布形式有两种，一种为沿Y方向排布，另一种沿X方向排布。