[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上形成有源层材料层；

在有源层材料层上形成刻蚀阻挡层材料层，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；

对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域和第三区域上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域为所述初始刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域；

通过构图工艺在所述第一区域和第二区域上分别形成源、漏极；

进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述源、漏极还形成在有源层、初始刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面上。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述刻蚀阳挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的金属材料，经退火工艺后，所述第二区域的金属材料转变为金属氧化物。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述刻蚀阻挡层材料层为锡，经退火工艺后，所述第二区域的锡转变为锡的氧化物。

5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述退火工艺包括：在空气氛围下，将退火温度设置在200-250摄氏度之间，进行时间为0.5-3个小时的退火。

6.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，对于顶栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层之前还包括在基板上形成缓冲层，在形成源、漏极之后还包括形成栅绝缘层和栅电极；对于底栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层之前还包括依次在基板上形成栅电极和栅绝缘层。

7.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述有源层材料层为氧化物半导体。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层、刻蚀阻挡层和源、漏极；其中所述刻蚀阻挡层位于所述有源层的上表面且包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第三区域的刻蚀阻挡层包含对金属源、漏极刻蚀液起阻挡作用的导电材料，所述第二区域的刻蚀阻挡层包含所述导电材料形成的绝缘材料；所述源、漏极分别位于所述刻蚀阻挡层的第一区域和第三区域上，所述第二区域为所述刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘材料是所述导电材料经退火工艺而形成的。

10.如权利要求8-9任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述导电材料为金属材料，所述绝缘材料为所述金属材料形成的金属氧化物。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述金属材料为锡，所述金属氧化物为锡的氧化物。

12.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述源、漏极与有源层、刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面接触。

13.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层为氧化物半导体。

14.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其还包括：位于有源层之下的缓冲层，位于源、漏极之上的栅绝缘层，位于栅绝缘层上面的栅电极。

15.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其还包括：位于有源层之下的栅绝缘层，位于栅绝缘层之下的栅电极。

16.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求8-15任一项所述的薄膜晶体管。

17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求16所述的显示基板。