[发明专利]一种荧光层、该荧光层的制备方法及其在核电池中的应用有效
| 申请号: | 201410173862.4 | 申请日: | 2014-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN103996734B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
| 发明(设计)人: | 汤晓斌;许志恒;洪亮;刘云鹏;陈达 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
| 主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;G21H1/12 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 许方 |
| 地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 荧光 制备 方法 及其 核电 中的 应用 | ||
1.一种荧光层,其特征在于:包括玻璃基底、荧光粉层,所述荧光粉层设置在玻璃基底上。
2.根据权利要求1所述的荧光层,其特征在于:所述荧光层通过下述方法制备,
步骤1、在硅酸钾溶液中加入ZnS:Cu荧光粉充分搅拌,再加入硝酸钡溶液,继续搅拌,然后将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中,自然沉降;
步骤2、待玻璃基底上沉积荧光粉之后,将其取出并烘干,待其自然冷却至常温即可获得所需荧光层。
3.根据权利要求2所述的荧光层,其特征在于:
步骤1中所述的硅酸钾溶液质量浓度为0.5-2%;
所述的硝酸钡溶液质量浓度为0.1-0.5%;
所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为10:1-20:1,与ZnS:Cu荧光粉的质量与荧光层的厚度根据如下公式设置:m=ρsh,其中m为荧光粉的质量,ρ为荧光粉的密度,s为玻璃器皿的底面积,h为荧光层的厚度;
所述的自然沉降时间为1-5h;
步骤2中的烘干温度为200-300℃,烘干时间为0.5h。
4.如权利要求1所述荧光层的制备方法,其特征在于:包括如下步骤,
步骤1、在硅酸钾溶液中加入ZnS:Cu荧光粉充分搅拌,再加入硝酸钡溶液,继续搅拌,然后将混合液引流至放有玻璃基底的玻璃器皿中,自然沉降;
步骤2、待玻璃基底上沉积荧光粉之后,将其取出并烘干,待其自然冷却至常温即可获得所需的荧光层。
5.根据权利要求4所述的荧光层的制备方法,其特征在于:
步骤1中所述的硅酸钾溶液质量浓度为0.5-2%;
所述的硝酸钡溶液质量浓度为0.1-0.5%;
所述的硅酸钾溶液与硝酸钡溶液的容积比为10:1-20:1,与ZnS:Cu荧光粉的质量与荧光层的厚度根据如下公式设置:m=ρsh,其中m为荧光粉的质量,ρ为荧光粉的密度,s为玻璃器皿的底面积,h为荧光层的厚度;
所述的自然沉降时间为1-5h;
步骤2中的烘干温度为200-300℃,烘干时间为0.5h。
6.一种如权利要求1~3中任一项所述的荧光层在核电池中的应用。
7.根据权利要求6所述荧光层在核电池中的应用,所述核电池包括密封外壳、放射源层、半导体光伏组件、荧光层,其中,所述半导体光伏组件包括依次连接的前电极层、半导体层、背电极层,其特征在于,所述的放射源层、荧光层、半导体光伏组件设置于密封外壳内部,并通过密封外壳固定,其中荧光层位于放射源层与半导体光伏组件之间,玻璃基底与半导体光伏组件的前电极层连接,荧光粉层与放射源层连接。
8.根据权利要求7所述的荧光层在核电池中的应用,其特征在于:所述放射源层为β放射源。
9.根据权利要求8所述的荧光层在核电池中的应用,其特征在于:所述β放射源为镍-63或钷-147。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





