[发明专利]切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种制造半导体器件的方法。

背景技术

通常，半导体器件是形成在单个半导体器件晶片上的多个单独器件单元之一。晶片随后通过诸如划片、激光划线等的方法被分离和切割成各个单独的器件单元，从而形成多个单独的器件单元。在切割半导体器件晶片中，切割线的位置应当被适当地确定。实际上，如果半导体器件晶片上的切割线被错误地确定，则多个半导体器件的某些或全部可能被误切和损坏，并因此可能需要被丢弃。因此，需要减少在确定半导体器件晶片上的切割线时的错误的方法。

发明内容

本主题的各方面提供用于切割晶片的设备、构造为保持晶片的晶片吸盘、切割其上设置有多个半导体器件的晶片的方法以及制造半导体器件的方法，其中晶片吸盘的表面具有高反射率、高白度和/或高的铝氧化物纯度。

然而，本主题的目的不限于此，可以包括可从下面描述的技术方案或实施例认识到的目标和效果，尽管没有明确提及。

根据本主题的一个方面，一种用于切割晶片的设备包括：晶片吸盘，构造为将晶片保持在其表面上，其中晶片吸盘的其上保持晶片的表面具有等于或大于40％的反射率；光源，构造为照射晶片吸盘的表面；图像捕获装置，构造为根据由光源发射且被晶片吸盘的表面反射的光来形成晶片的图像；处理器，构造为根据所形成的图像确定晶片上的切割线的位置；以及切割组件，构造为沿着由处理器确定的切割线切割晶片。

晶片吸盘的其上保持晶片的表面可以具有等于或大于90的白度指数(whiteness index)值。

晶片吸盘可以由含有铝氧化物的陶瓷制成，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。

晶片可以为透明晶片。

晶片吸盘可以为多孔陶瓷，并且晶片可以通过陶瓷晶片吸盘的孔利用真空吸附而保持到多孔晶片吸盘的表面。

该设备还可以包括粘合层，该粘合层设置在晶片吸盘的表面上以将晶片保持在晶片吸盘的表面上且由透明材料形成。

设置在晶片的表面上的多个半导体器件的电极图案可以阻碍由光源发射的光朝向图像捕获装置反射，并且图像捕获装置可以形成显示晶片的第一区域和晶片的第二区域的晶片图像，在晶片的第一区域中由光源发射的光被晶片吸盘的表面反射到图像捕获装置，晶片的第二区域在其中具有电极图案，在第二区域中由光源发射的光没有被晶片吸盘的表面反射到图像捕获装置。

处理器可以通过执行下面的步骤来确定晶片上的切割线的位置：在所形成的图像中识别与设置在晶片上的多个电极图案的预设电极图案图像相匹配的至少一个位置；以及根据所识别的至少一个位置和匹配的预设电极图案图像中的切割线的位置来确定晶片上的切割线的位置。

处理器可以构造为在由切割组件切割晶片之前根据所形成的图像确定晶片上的第一套切割线的位置，并且还可以构造为在沿着第一套切割线切割晶片之后根据晶片的另一个形成的图像来确定晶片上的第二套切割线的位置。

根据本主题的另一个方面，一种用于切割晶片的设备包括：晶片吸盘，构造为将晶片保持在其表面上，其中晶片吸盘的其上保持晶片的表面具有等于或大于90的白度指数值；光源，构造为照射晶片吸盘的表面；图像捕获装置，构造为根据由光源发射且被晶片吸盘的表面反射的光来形成晶片的图像；处理器，构造为根据所形成的图像来确定晶片上的切割线的位置；以及切割组件，构造为沿着由处理器确定的切割线来切割晶片。

晶片吸盘可以由包含铝氧化物的陶瓷制成，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。

晶片吸盘的其上保持晶片的表面可以具有等于或大于40％的反射率。

设置在晶片的表面上的多个半导体器件的电极图案可以阻碍由光源发射的光朝向图像捕获装置反射，并且图像捕获装置可以形成显示晶片的第一区域和晶片的第二区域的晶片图像，在晶片的第一区域中由光源发射的光被晶片吸盘的表面反射到图像捕获装置，晶片的第二区域在其中具有电极图案，在第二区域中由光源发射的光没有被晶片吸盘的表面反射到图像捕获装置。

处理器可以通过执行下面的步骤来确定晶片上的切割线的位置：在所形成的图像中识别与设置在晶片上的多个电极图案的预设电极图案图像相匹配的至少一个位置；以及根据所识别的至少一个位置和匹配的预设电极图案图像中的切割线的位置来确定晶片上的切割线的位置。

处理器可以构造为在由切割组件切割晶片之前根据所形成的图像确定晶片上的第一套切割线的位置，并且还可以构造为在沿着第一套切割线切割晶片之后根据晶片的另一个形成的图像来确定晶片上的第二套切割线的位置。