[发明专利]集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法

权利要求书

1. 一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构，包括模塑料体（1）和扇出型塑封于模塑料体（1）中的芯片（2），芯片（2）的正面具有第一电极（21）和第二电极（22）；其特征是：在所述模塑料体（1）中设置第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32），第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32）呈螺旋形分布于模塑料体（1）上；在所述模塑料体（1）的正面设置绝缘层（4），在绝缘层（4）中布置第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52），第一金属导线层（51）连接芯片（2）的第一电极（21）和第一金属布线层（31），第二金属导线层（52）连接芯片（2）的第二电极（22）和第二金属布线层（32）；在所述第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52）上分别设置一个或多个凸点下金属层（6）和焊球（7）。

2.如权利要求1所述的集成无源器件扇出型晶圆级封装结构，其特征是：所述芯片（2）的正面与模塑料体（1）的正面平齐。

3.如权利要求1所述的集成无源器件扇出型晶圆级封装结构，其特征是：所述第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32）与模塑料体（1）的正面平齐。

4.一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构的制作方法，其特征是，采用以下工艺步骤：

（1）将芯片（2）扇出型塑封于模塑料体（1）中，芯片（2）的正面与模塑料体（1）的正面平齐；

（2）在模塑料体（1）的正面开设两部分螺旋形槽体（8）；在槽体（8）中填充金属，得到螺旋形的第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32）；

（3）在模塑料体（1）的正面制作第一层绝缘层，在绝缘层上开设窗口，分别露出芯片（2）的第一电极（21）、第二电极（22）、第一金属布线层（31）和第二金属布线层（32）；在上述绝缘层的表面和绝缘层的窗口中制作金属层；

（4）将步骤（3）得到的金属层刻蚀成所需图形，得到第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52），第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52）相互绝缘；

（5）在第一金属导线层（51）和第二金属导线层（52）上制作第二层绝缘层；在得到的绝缘层上开设窗口，在得到的绝缘层窗口中制作凸点下金属层（6），在凸点下金属层（6）上制作焊球（7）。