[发明专利]一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构有效
| 申请号： | 201410172871.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104037618B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 尤明慧;于新雨;李占国;刘景圣;李士军;欧仁侠;高欣;樊娟娟;孙启响;于秀玲;李雪;梁雪梅;史明非;孙连志 | 申请（专利权）人： | 吉林农业大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 红外 波段 sb 多层 量子 对称 耦合 激光器 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，具体为：GaAs衬底(1)；变Al组分的AlxGal-xAs限制层(2)，其中Al组分x＝0.35-0.9，n型掺杂浓度从1.0×1018cm-3渐变到5.0×1017cm-3，厚度1200nm；Al0.35Ga0.65As波导层(3)，厚度400nm；5对In0.18Ga0.82As/In0.30Ga0.70Sb/In0.31Ga0.69As量子点和量子阱耦合层(4)，其中In0.18Ga0.82As厚度为6nm，In0.30Ga0.70Sb量子点平均高度12nm，In0.31Ga0.69As厚度为12nm；Al0.35Ga0.65As波导层(5)，厚度400nm；变Al组分的AlxGal-xAs限制层(6)，p型掺杂浓度从5.0×1017cm-3渐变到1.0×1018cm-3，厚度1200nm；GaAs盖层(7)，掺杂浓度1.0×1019cm-3。
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