[发明专利]存储器的编程校验方法和编程校验装置

权利要求书

1.一种存储器的编程校验方法，其特征在于，包括：

发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；

依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；

所述存储器的读取放大器读取所述位线的实际电流；

将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压之前，还包括：

从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；

依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；

依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元提供设定负电压，包括：

所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；

所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

所述存储器的读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；

所述存储器的读取放大器读取所述位线上的实际电流，包括：

所述存储器的读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验通过与否，包括：

将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；

当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；

当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。

6.一种编程校验装置，其特征在于，包括：

发送模块，用于发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；

电压输入模块，用于依据所述数据读取指令，为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；

电流读取模块，用于读取所述位线的实际电流；

校验检测模块，用于将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：

阵列信息确定模块，用于从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。

8.根据权利要求6或7所述的装置，其特征在于：

所述电压输入模块，用于在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：

所述电流读取模块，还用于触发读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；

且所述电流读取模块，具体用于触发读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：

所述校验检测模块，用于将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。