[发明专利]闪存制造方法有效
| 申请号： | 201410171809.0 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097702B | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 万宇;陈应杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 制造 方法 | ||
1.一种闪存制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括外围电路区域和存储单元区域；
在所述第一区域上依次形成第一多晶硅层和隧穿氧化层，在所述第一区域和第二区域上形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述隧穿氧化层；
对所述第一区域上的第一多晶硅层和第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺形成堆叠栅结构；
对所述第二多晶硅层进行光刻和刻蚀工艺，以去除所述存储单元区域的部分区域以及所述外围电路区域上的堆叠栅结构的第二多晶硅层，形成第一栅极结构，并在所述第二区域上形成第二栅极结构；
在所述堆叠栅结构、第一栅极结构和第二栅极结构两侧形成侧墙；以及
去除所述第二区域上的侧墙。
2.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为
3.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为
5.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，利用化学气相沉积工艺形成所述第一多晶硅层和第二多晶硅层。
6.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述存储单元区域的部分区域以及所述外围电路区域上的堆叠栅结构的第二多晶硅层。
7.如权利要求6所述的闪存制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺采用刻蚀气体为HBr、Cl2或HeO2中的一种或几种。
8.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，去除所述第二区域上的侧墙的步骤包括：
在所述第一区域上形成掩膜层；
利用湿法刻蚀工艺去除所述第二区域上的侧墙；以及
去除所述掩膜层。
9.如权利要求8所述的闪存制造方法，其特征在于，所述掩膜层为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
