[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201410171732.7 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN104124319B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 米田章法;木内章喜;笠井久嗣;粟饭原善之;佐佐博凡;中村伸治 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具有:
半导体芯片,其包含p型半导体层和n型半导体层,在该p型半导体层和该n型半导体层之间发光;
p侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上;
n侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上;
树脂层,其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面;和
p侧连接电极以及n侧连接电极,其配置在所述树脂层的外表面,且位于所述半导体芯片的上表面侧,
所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方,通过配置在所述树脂内的金属丝而连接,
所述发光装置还包含层叠了多个凸块的凸块层叠体,
该凸块层叠体将所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间连接,
所述金属丝的一端连接于与连接有所述凸块层叠体的n侧衬垫电极不同的n侧衬垫电极,所述金属丝的另一端连接于所述凸块层叠体的1个凸块。
2.一种发光装置,其特征在于,具有:
半导体芯片,其包含p型半导体层和n型半导体层,在该p型半导体层和该n型半导体层之间发光;
p侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上;
n侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上;
树脂层,其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面;和
p侧连接电极以及n侧连接电极,其配置在所述树脂层的外表面,且位于所述半导体芯片的上表面侧,
所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方,通过配置在所述树脂内的金属丝而连接,
所述发光装置还包含层叠了多个凸块的凸块层叠体,
该凸块层叠体将所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间连接,
所述金属丝的一端连接于与连接有所述凸块层叠体的p侧衬垫电极不同的p侧衬垫电极,所述金属丝的另一端连接于所述凸块层叠体的1个凸块。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间都通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述p侧连接电极和所述n侧连接电极配置在所述树脂层的上表面。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
在1个所述n侧连接电极以及1个所述p侧连接电极的至少一方连接有多个所述金属丝。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
在所述n型半导体层上配置有所述p型半导体层,在所述n型半导体层的下表面设置有荧光体层。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,
所述荧光体层覆盖所述n型半导体层的侧面的至少一部分和所述p型半导体层的侧面的至少一部分。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述金属丝的至少1个,两端固定于不同的所述p侧衬垫电极或不同的所述n侧衬垫电极,中间部从所述树脂层的外表面露出。
9.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述金属丝的一部分,从所述树脂层的外表面露出,该露出的部分是所述p侧连接电极或所述n侧连接电极。
10.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,
还包含层叠了多个凸块的第2凸块层叠体,
该第2凸块层叠体将所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间连接,
所述金属丝的一端连接于与连接有所述第2凸块层叠体的n侧衬垫电极不同的n侧衬垫电极,所述金属丝的另一端连接于所述第2凸块层叠体的1个凸块。
11.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,
所述p侧连接电极和所述n侧连接电极配置在所述树脂层的侧面。
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