[发明专利]场效应晶体管液体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410169651.3 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103928525A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 液体 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种场效应晶体管液体传感器，其特征在于，该传感器为单栅指场效应晶体管结构，包括：
衬底；
衬底上的异质结，所述异质结为由GaN和AlGaN材料形成；
所述异质结上的源电极、漏电极以及栅电极，栅电极为肖特基电极，源电极、漏电极为欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述异质结包括GaN层、AlGaN层和他们之间的AlN的插入层。
3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述GaN层、AlN的插入层和AlGaN层的厚度分别为3um、1nm、23nm。
4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述AlGaN层中Al组分为25％。
5.一种场效应晶体管液体传感器的制备方法，其特征在于，该传感器为单栅指场效应晶体管结构，包括步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成异质结，所述异质结为由GaN和AlGaN材料形成；
在所述异质结上形成源电极、漏电极以及栅电极，栅电极为肖特基电极，源电极、漏电极为欧姆接触电极。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为SiC衬底，采用金属有机物气相外延的方法在SiC衬底上依次外延生长GaN层、AlN的插入层和AlGaN层，以形成异质结。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述GaN层、AlN的插入层和AlGaN层的厚度分别为3um、1nm、23nm。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN层中Al组分为25％。
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