[发明专利]一种数字移相器在审
| 申请号： | 201410169560.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103944534A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H11/16 | 分类号： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 数字 移相器 | ||
【权利要求书】：
1.一种数字移相器，其特征在于，该数字移相器的开关器件为具有GaN基异质结的高电子迁移率场效应晶体管，该场效应晶体管的异质结上设置有肖特基接触电极和欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的数字移相器，其特征在于，该数字移相器采用加载线式结构的数字移相电路。
3.根据权利要求2所述的数字移相器，其特征在于，该数字移相电路的主传输线的电长度为π/2，两段分支传输线的长度相等。
4.根据权利要求3所述的数字移相器，其特征在于，该数字移相器的相移量为22.5°。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的数字移相器，其特征在于，所述异质结为由GaN和AlGaN材料形成。
6.根据权利要求5所述的数字移相器，其特征在于，GaN和AlGaN材料间还形成有AlN的插入层。
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