[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管被形成在衬底上面；

第二晶体管，所述第二晶体管被形成在所述衬底上面，并且具有与所述第一晶体管的沟道的导电类型不同的导电类型的沟道；以及

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被形成在所述衬底上面以覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管，

其中，所述第一晶体管包括：

第一栅电极，所述第一栅电极被形成在所述衬底上面并且包含金属；以及

第一源/漏区，所述第一源/漏区被形成在所述第一栅电极侧方的所述衬底的表面中，

其中，所述第二晶体管包括：

第二栅电极，所述第二栅电极被形成在所述衬底上面并且包含金属；以及

第二源/漏区，所述第二源/漏区被形成在所述第二栅电极侧方的所述衬底的表面中，并且

其中，所述层间绝缘膜包括：

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜被形成在所述第一源/漏区和所述第二源/漏区上面；以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被形成在所述第一绝缘膜上面，

所述半导体器件进一步包括：

第一接触插塞，所述第一接触插塞延伸通过所述第二绝缘膜以到达所述第一栅电极；

第二接触插塞，所述第二接触插塞延伸通过所述第二绝缘膜以到达所述第二栅电极；

隔离膜，所述隔离膜被形成在所述衬底的表面中；以及

电容器元件，所述电容器元件被形成在平面视图中的与所述隔离膜重叠的区域内，

其中，所述电容器元件包括：

下电极，所述下电极包含金属；

上电极，所述上电极被形成在所述下电极上面并且包含金属；以及

电容器绝缘膜，所述电容器绝缘膜被形成在所述下电极和所述上电极之间，并且

其中，所述下电极和所述上电极被形成在所述第一绝缘膜上面以被嵌入在所述第二绝缘膜中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述下电极和所述上电极中的每一个被形成为平板状。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，平面视图中的所述下电极的边缘部分与所述第二绝缘膜直接接触，并且

其中，平面视图中的所述上电极的边缘部分与所述第二绝缘膜直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜被形成在所述衬底和所述第一栅电极之间；

第二栅极绝缘膜，所述第二栅极绝缘膜被形成在所述衬底和所述第二栅电极之间；

第一侧壁，所述第一侧壁被形成在所述第一绝缘膜中，以便在平面视图中包围所述第一栅极绝缘膜；以及

第二侧壁，所述第二侧壁被形成在所述第一绝缘膜中，以便在平面视图中包围所述第二栅极绝缘膜，

其中，所述第一绝缘膜被形成有第一开口，所述第一开口由所述第一侧壁的内壁限定，所述第一栅电极被形成为被嵌入在所述第一开口中，并且平面视图中的所述第一栅电极的边缘部分覆在平面视图中的与所述第一开口重叠的区域外侧的所述第一绝缘膜上，并且

其中，所述第一绝缘膜被形成有第二开口，所述第二开口由所述第二侧壁的内壁限定，所述第二栅电极被形成为被嵌入在所述第二开口中，并且平面视图中的所述第二栅电极的边缘部分覆在平面视图中的与所述第二开口重叠的区域外侧的所述第一绝缘膜上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述下电极的膜厚度通常等于所述第一栅电极的下述部分的膜厚度，所述部分覆在平面视图中的与所述第一开口重叠的区域外侧的所述第一绝缘膜上，并且

其中，所述上电极的膜厚度通常等于所述第二栅电极的下述部分的膜厚度，所述部分覆在平面视图中的与所述第二开口重叠的区域外侧的所述第一绝缘膜上。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：

第三绝缘膜，所述第三绝缘膜被形成在所述第一栅电极和所述第二绝缘膜之间，

其中，所述电容器绝缘膜和所述第三绝缘膜由相同的材料形成。