[发明专利]硅控整流器在审
| 申请号： | 201410169180.6 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105023913A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 洪崇佑;李建兴;高字成;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇;郭仁智 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流器 | ||
1.一种硅控整流器，其包含：
一基板；
一N井区，设置于该基板的一第一侧；
一P井区，设置于该基板的该第一侧，且与该N井区相邻；
一第一N型掺杂区，设置于该N井区的一上表面；
一第一P型掺杂区，设置于该N井区的该上表面，且与该第一N型掺杂区相邻；
一第二N型掺杂区，设置于该P井区的一上表面；
一第二P型掺杂区，设置于该P井区的该上表面；
一第一氧化隔离区，设置于该N井区的该上表面的局部区域与该P井区的该上表面的局部区域，并隔离该第一P型掺杂区与该第二N型掺杂区；
一第二氧化隔离区，设置于该P井区的该上表面的局部区域，并隔离该第二N型掺杂区与该第二P型掺杂区；
一阳极端，耦接于该第一N型掺杂区与该第一P型掺杂区；以及
一阴极端，耦接于该第二N型掺杂区与该第二P型掺杂区；
其中，该第一P型掺杂区的离子掺杂浓度低于该第二P型掺杂区的离子掺杂浓度的百分之八十。
2.如权利要求1的硅控整流器，其中，该基板为一N型深埋层。
3.如权利要求1的硅控整流器，其中，该N井区与该P井区皆直接位在该基板的该第一侧上。
4.如权利要求1的硅控整流器，其中，该N井区与该P井区皆设置于该基板的该第一侧上方。
5.如权利要求1的硅控整流器，其中，该第一P型掺杂区的离子掺杂浓度低于该第二P型掺杂区的离子掺杂浓度的三分之一。
6.如权利要求1的硅控整流器，其中，该第一P型掺杂区的离子掺杂浓度介于每立方公分1E13个离子至每立方公分1E14个离子的范围，而该第二P型掺杂区的离子掺杂浓度大于每立方公分3E14个离子。
7.如权利要求1的硅控整流器，其中，该第一N型掺杂区与该第二N型掺杂区皆为一N+掺杂区，且该第二P型掺杂区为一P+掺杂区。
8.如权利要求7的硅控整流器，其中，该第一P型掺杂区为一P-掺杂区。
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