[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201410168661.5 申请日: 2014-04-24
公开(公告)号: CN103972243B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 白金超;刘耀;李梁梁;丁向前;郭总杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括栅金属层、栅绝缘层及源漏金属层,其特征在于,还包括:

与所述栅金属层同层设置的第一公共电极线;

设置于所述栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔;

位于所述第一过孔中的源漏金属填充部;

与所述第一过孔连通的第二过孔;

及透明连接部;

其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:钝化层,所述第二过孔形成于所述钝化层上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线与所述栅金属层同层同材料制成。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏金属填充部与所述源漏金属层同层同材料制成。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

第一透明导电层;

其中,所述透明连接部与所述第一透明导电层同层同材料制成;

所述第一透明导电层为像素电极层或公共电极层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:

与所述源漏金属层同层同材料制成的第二公共电极线;

位于所述第一过孔中的源漏金属连接部;

其中,所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线电连接。

7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

在栅金属层形成多条第一公共电极线的步骤;

在栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔的步骤;

在所述第一过孔中形成源漏金属填充部的步骤;

形成与所述第一过孔连通的第二过孔的步骤;

形成透明连接部的步骤;

其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一公共电极线与所述栅金属层通过一次构图工艺形成。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述源漏金属填充部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。

10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括:

形成第一透明导电层的步骤;

其中,所述透明连接部与所述第一透明导电层通过一次构图工艺形成。

11.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法具体包括:

通过一次构图工艺在一基板上形成栅金属层和第一公共电极线;

在形成有所述栅金属层和第一公共电极线的基板上形成栅绝缘层,并在所述栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔;

在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层;

通过一次构图工艺在形成有所述有源层的基板上形成源漏金属层和源漏金属填充部,其中,所述源漏金属填充部位于所述第一过孔中;

在形成有所述源漏金属层和源漏金属填充部的基板上形成钝化层,并在所述钝化层上形成与所述第一过孔连通的第二过孔;

通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明导电层和透明连接部,其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部连接。

12.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括:

形成第二公共电极线和源漏金属连接部的步骤,所述源漏金属连接部位于所述第一过孔中,所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线连接;

其中,所述第二公共电极线和所述源漏金属连接部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。

13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

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