[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201410168661.5 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN103972243B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 白金超;刘耀;李梁梁;丁向前;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括栅金属层、栅绝缘层及源漏金属层,其特征在于,还包括:
与所述栅金属层同层设置的第一公共电极线;
设置于所述栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔;
位于所述第一过孔中的源漏金属填充部;
与所述第一过孔连通的第二过孔;
及透明连接部;
其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:钝化层,所述第二过孔形成于所述钝化层上。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线与所述栅金属层同层同材料制成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源漏金属填充部与所述源漏金属层同层同材料制成。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
第一透明导电层;
其中,所述透明连接部与所述第一透明导电层同层同材料制成;
所述第一透明导电层为像素电极层或公共电极层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
与所述源漏金属层同层同材料制成的第二公共电极线;
位于所述第一过孔中的源漏金属连接部;
其中,所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线电连接。
7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在栅金属层形成多条第一公共电极线的步骤;
在栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔的步骤;
在所述第一过孔中形成源漏金属填充部的步骤;
形成与所述第一过孔连通的第二过孔的步骤;
形成透明连接部的步骤;
其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一公共电极线与所述栅金属层通过一次构图工艺形成。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述源漏金属填充部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括:
形成第一透明导电层的步骤;
其中,所述透明连接部与所述第一透明导电层通过一次构图工艺形成。
11.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法具体包括:
通过一次构图工艺在一基板上形成栅金属层和第一公共电极线;
在形成有所述栅金属层和第一公共电极线的基板上形成栅绝缘层,并在所述栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔;
在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层;
通过一次构图工艺在形成有所述有源层的基板上形成源漏金属层和源漏金属填充部,其中,所述源漏金属填充部位于所述第一过孔中;
在形成有所述源漏金属层和源漏金属填充部的基板上形成钝化层,并在所述钝化层上形成与所述第一过孔连通的第二过孔;
通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明导电层和透明连接部,其中,所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部连接。
12.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括:
形成第二公共电极线和源漏金属连接部的步骤,所述源漏金属连接部位于所述第一过孔中,所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线连接;
其中,所述第二公共电极线和所述源漏金属连接部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410168661.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的