[发明专利]有机发光二极管显示器和像素有效
| 申请号: | 201410166472.4 | 申请日: | 2014-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN104124267B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
| 发明(设计)人: | 姜昶旭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/06;H01L29/423;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 电容器 阻挡层 像素 有机发光二极管显示器 极板 自然氧化物层 半导体层 材料形成 晶体管 联接 申请 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板;
半导体层,位于所述基板上并且包括彼此分离的开关半导体层和驱动半导体层;
第一栅绝缘层,位于所述半导体层上方;
开关栅电极,位于所述第一栅绝缘层上并且与所述开关半导体层重叠;
第二栅绝缘层,位于所述开关栅电极上方;
驱动栅电极,位于所述第二栅绝缘层上并且与所述驱动半导体层重叠;
存储电容器,包括位于所述第一栅绝缘层上的第一极板和位于所述第二栅绝缘层上的与所述第一极板重叠的第二极板;以及
夹层绝缘层,位于所述驱动栅电极、所述存储电容器的第二极板和所述第二栅绝缘层上方,其中所述第二栅绝缘层包括:
位于所述第一栅绝缘层上的第二下栅绝缘层,
位于所述第二下栅绝缘层上的裂缝阻挡层,以及
位于所述裂缝阻挡层上的第二上栅绝缘层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述基板包括聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,进一步包括位于所述基板与所述半导体层之间的屏障层。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,进一步包括:
扫描线,位于所述基板上并且传输扫描信号;
与所述扫描线相交的数据线和驱动电压线,所述数据线和所述驱动电压线分别传输数据信号和驱动电压;
开关晶体管,联接至所述扫描线和所述数据线,所述开关晶体管包括所述开关半导体层和所述开关栅电极;
驱动晶体管,联接至所述开关晶体管的开关漏电极,所述驱动晶体管包括所述驱动半导体层和所述驱动栅电极;以及
有机发光二极管,联接至所述驱动晶体管的驱动漏电极,
其中所述裂缝阻挡层包括自然氧化物层。
5.一种像素,包括:
晶体管;
电容器,联接至所述晶体管;
第一绝缘层,位于所述晶体管的半导体层上方;
第二绝缘层,位于所述第一绝缘层上方;以及
其中所述电容器的第一极板位于所述第一绝缘层上,所述电容器的第二极板位于所述第二绝缘层上,并且
其中所述第二绝缘层包括:
位于所述第一绝缘层上的第二下绝缘层,
位于所述第二下绝缘层上的阻挡层,以及
位于所述阻挡层上的第二上绝缘层。
6.根据权利要求5所述的像素,其中所述阻挡层由自然氧化物层形成,所述第一绝缘层由与所述阻挡层不同的材料形成。
7.根据权利要求5所述的像素,其中所述半导体层包括驱动半导体层,其中所述驱动半导体层对应于联接至所述电容器的所述晶体管。
8.根据权利要求5所述的像素,其中所述晶体管是所述像素的驱动晶体管,并且所述像素进一步包括:
开关晶体管,
其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层是所述驱动晶体管的栅绝缘层。
9.根据权利要求8所述的像素,其中:
所述开关晶体管的栅电极位于所述第一绝缘层上,
其中所述第二绝缘层位于所述栅电极上方。
10.根据权利要求8所述的像素,其中:
所述驱动晶体管包括栅电极,
所述栅电极位于所述第二绝缘层上。
11.根据权利要求5所述的像素,其中所述第一绝缘层包括硅。
12.根据权利要求5所述的像素,进一步包括:
有机发光二极管,联接至所述电容器的至少一个节点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





